真空电子技术
真空電子技術
진공전자기술
VACUUM ELECTRONICS
2007年
5期
30-32
,共3页
场致发射%二次开发%ANSYS%C#
場緻髮射%二次開髮%ANSYS%C#
장치발사%이차개발%ANSYS%C#
把C#对ANSYS的二次开发应用于FED的仿真与结构优化设计,开发了程序.程序中利用APDL使建模、加载、后处理的过程参数化.C#编写的程序使参数输入和结果输出界面可视化,容易使用,提高了后处理的能力.APDL和C#的二次开发的结合应用于场发射的优化设计,研究了电场分布、电子发射轨迹和电流密度,大大提高了优化设计的效率.
把C#對ANSYS的二次開髮應用于FED的倣真與結構優化設計,開髮瞭程序.程序中利用APDL使建模、加載、後處理的過程參數化.C#編寫的程序使參數輸入和結果輸齣界麵可視化,容易使用,提高瞭後處理的能力.APDL和C#的二次開髮的結閤應用于場髮射的優化設計,研究瞭電場分佈、電子髮射軌跡和電流密度,大大提高瞭優化設計的效率.
파C#대ANSYS적이차개발응용우FED적방진여결구우화설계,개발료정서.정서중이용APDL사건모、가재、후처리적과정삼수화.C#편사적정서사삼수수입화결과수출계면가시화,용역사용,제고료후처리적능력.APDL화C#적이차개발적결합응용우장발사적우화설계,연구료전장분포、전자발사궤적화전류밀도,대대제고료우화설계적효솔.
