西安电子科技大学学报(自然科学版)
西安電子科技大學學報(自然科學版)
서안전자과기대학학보(자연과학판)
JOURNAL OF XIDIAN UNIVERSITY
2009年
2期
298-300,330
,共4页
多晶碳化硅薄膜%多孔硅%常压化学气相淀积%生长%表征
多晶碳化硅薄膜%多孔硅%常壓化學氣相澱積%生長%錶徵
다정탄화규박막%다공규%상압화학기상정적%생장%표정
采用SiH4-C3H8-H2气体反应体系,通过常压化学气相淀积(APCVD)工艺在电化学腐蚀的多孔硅村底上进行了多晶3C-SiC薄膜的生长,研究了多孔硅孔隙率对薄膜生长质量的影响.实验结果表明,当多孔硅孔隙率较低时,得到的是含有SiC(111)晶粒的多晶硅薄膜,随着孔隙率的增加,生长薄膜由富碳多孔SiC向多晶SiC薄膜过渡,表面平整度增加,并具有<111晶向择优生长的特点.
採用SiH4-C3H8-H2氣體反應體繫,通過常壓化學氣相澱積(APCVD)工藝在電化學腐蝕的多孔硅村底上進行瞭多晶3C-SiC薄膜的生長,研究瞭多孔硅孔隙率對薄膜生長質量的影響.實驗結果錶明,噹多孔硅孔隙率較低時,得到的是含有SiC(111)晶粒的多晶硅薄膜,隨著孔隙率的增加,生長薄膜由富碳多孔SiC嚮多晶SiC薄膜過渡,錶麵平整度增加,併具有<111晶嚮擇優生長的特點.
채용SiH4-C3H8-H2기체반응체계,통과상압화학기상정적(APCVD)공예재전화학부식적다공규촌저상진행료다정3C-SiC박막적생장,연구료다공규공극솔대박막생장질량적영향.실험결과표명,당다공규공극솔교저시,득도적시함유SiC(111)정립적다정규박막,수착공극솔적증가,생장박막유부탄다공SiC향다정SiC박막과도,표면평정도증가,병구유<111정향택우생장적특점.
