电子元件与材料
電子元件與材料
전자원건여재료
ELECTRONIC COMPONENTS & MATERIALS
2010年
8期
48-50
,共3页
王永红%刘梅%张玉梅%陈芳慧%李海波
王永紅%劉梅%張玉梅%陳芳慧%李海波
왕영홍%류매%장옥매%진방혜%리해파
磁控溅射法%FePt%结构%磁性能
磁控濺射法%FePt%結構%磁性能
자공천사법%FePt%결구%자성능
采用磁控溅射法,在自然氧化的Si(001)基片上沉积了Ag/FePt/C/FePt纳米薄膜,并分别在400,450,500,600℃下对薄膜样品进行了1h的退火热处理.利用X射线衍射仪和振动样品磁强计,对薄膜样品的结构和磁性进行了分析.结果表明,当热处理温度为450℃时,Ag/FePt/C/FePt薄膜中已形成了具有有序面心四方结构的L10-FePt.随着热处理温度的升高,薄膜样品的有序化程度提高,矫顽力Hc增强,晶粒尺寸变大.当热处理温度为600℃时,薄膜样品的平行膜面Hc为905.8 kA·m-1,晶粒尺寸为23nm.
採用磁控濺射法,在自然氧化的Si(001)基片上沉積瞭Ag/FePt/C/FePt納米薄膜,併分彆在400,450,500,600℃下對薄膜樣品進行瞭1h的退火熱處理.利用X射線衍射儀和振動樣品磁彊計,對薄膜樣品的結構和磁性進行瞭分析.結果錶明,噹熱處理溫度為450℃時,Ag/FePt/C/FePt薄膜中已形成瞭具有有序麵心四方結構的L10-FePt.隨著熱處理溫度的升高,薄膜樣品的有序化程度提高,矯頑力Hc增彊,晶粒呎吋變大.噹熱處理溫度為600℃時,薄膜樣品的平行膜麵Hc為905.8 kA·m-1,晶粒呎吋為23nm.
채용자공천사법,재자연양화적Si(001)기편상침적료Ag/FePt/C/FePt납미박막,병분별재400,450,500,600℃하대박막양품진행료1h적퇴화열처리.이용X사선연사의화진동양품자강계,대박막양품적결구화자성진행료분석.결과표명,당열처리온도위450℃시,Ag/FePt/C/FePt박막중이형성료구유유서면심사방결구적L10-FePt.수착열처리온도적승고,박막양품적유서화정도제고,교완력Hc증강,정립척촌변대.당열처리온도위600℃시,박막양품적평행막면Hc위905.8 kA·m-1,정립척촌위23nm.
