天津大学学报
天津大學學報
천진대학학보
JOURNAL OF TIANJIN UNIVERSITY SCIENCE AND TECHNOLOGY
2000年
4期
498-501
,共4页
张生才%申云琴%旷章曲%郑坚斌
張生纔%申雲琴%曠章麯%鄭堅斌
장생재%신운금%광장곡%정견빈
传真机%热印头%专用集成电路
傳真機%熱印頭%專用集成電路
전진궤%열인두%전용집성전로
论述了采用硅栅CMOS工艺研制的热印头驱动ASIC,它由64位移位寄存器、64位锁存器、64位输出驱动电路和外围缓冲电路组成.其电路性能为:在0.5kΩ负载电阻情况下,最大输出电流48mA,输出管饱和压降1.8V,输出管击穿电压3.5V,时钟频率5.2MHz.在传真机热印头上使用,可实现高速打印和高分辨率.
論述瞭採用硅柵CMOS工藝研製的熱印頭驅動ASIC,它由64位移位寄存器、64位鎖存器、64位輸齣驅動電路和外圍緩遲電路組成.其電路性能為:在0.5kΩ負載電阻情況下,最大輸齣電流48mA,輸齣管飽和壓降1.8V,輸齣管擊穿電壓3.5V,時鐘頻率5.2MHz.在傳真機熱印頭上使用,可實現高速打印和高分辨率.
논술료채용규책CMOS공예연제적열인두구동ASIC,타유64위이위기존기、64위쇄존기、64위수출구동전로화외위완충전로조성.기전로성능위:재0.5kΩ부재전조정황하,최대수출전류48mA,수출관포화압강1.8V,수출관격천전압3.5V,시종빈솔5.2MHz.재전진궤열인두상사용,가실현고속타인화고분변솔.
