物理学报
物理學報
물이학보
2003年
4期
989-992
,共4页
隋妍萍%马忠元%陈坤基%李伟%徐骏%黄信凡
隋妍萍%馬忠元%陳坤基%李偉%徐駿%黃信凡
수연평%마충원%진곤기%리위%서준%황신범
纳米硅多层膜%等离子体氧化%蓝光发射%热退火
納米硅多層膜%等離子體氧化%藍光髮射%熱退火
납미규다층막%등리자체양화%람광발사%열퇴화
在等离子体增强化学气相淀积(PECVD)系统中,采用a-Si∶H层淀积与原位等离子体氧化相结合的逐层生长的方法成功制备出a-Si∶H/SiO2多层膜 (ML);利用限制性结晶原理通过两步退火处理使a-Si∶H层晶化获得尺寸可控的nc-Si/SiO2 ML,并观察到室温下的蓝光发射;结合Raman散射和剖面透射电子显微镜技术分析了nc-Si/SiO2 ML的结构特性;通过对晶化样品光致发光谱和紫外-可见光吸收谱的研究,探讨了蓝光发射的起源.
在等離子體增彊化學氣相澱積(PECVD)繫統中,採用a-Si∶H層澱積與原位等離子體氧化相結閤的逐層生長的方法成功製備齣a-Si∶H/SiO2多層膜 (ML);利用限製性結晶原理通過兩步退火處理使a-Si∶H層晶化穫得呎吋可控的nc-Si/SiO2 ML,併觀察到室溫下的藍光髮射;結閤Raman散射和剖麵透射電子顯微鏡技術分析瞭nc-Si/SiO2 ML的結構特性;通過對晶化樣品光緻髮光譜和紫外-可見光吸收譜的研究,探討瞭藍光髮射的起源.
재등리자체증강화학기상정적(PECVD)계통중,채용a-Si∶H층정적여원위등리자체양화상결합적축층생장적방법성공제비출a-Si∶H/SiO2다층막 (ML);이용한제성결정원리통과량보퇴화처리사a-Si∶H층정화획득척촌가공적nc-Si/SiO2 ML,병관찰도실온하적람광발사;결합Raman산사화부면투사전자현미경기술분석료nc-Si/SiO2 ML적결구특성;통과대정화양품광치발광보화자외-가견광흡수보적연구,탐토료람광발사적기원.
