物理学报
物理學報
물이학보
2008年
2期
1236-1240
,共5页
何萌%刘国珍%仇杰%邢杰%吕惠宾
何萌%劉國珍%仇傑%邢傑%呂惠賓
하맹%류국진%구걸%형걸%려혜빈
激光分子束外延%TiN单晶薄膜%外延生长
激光分子束外延%TiN單晶薄膜%外延生長
격광분자속외연%TiN단정박막%외연생장
采用激光分子束外延技术,利用两步法,在Si单晶衬底上成功地外延生长出TiN薄膜材料.原子力显微镜分析结果显示, TiN薄膜材料表面光滑,在10 μm×10 μm范围内,均方根粗糙度为0.842 nm.霍耳效应测量结果显示,TiN薄膜在室温条件下的电阻率为3.6×10-5 Ω·cm,迁移率达到583.0 cm2/V·S,表明TiN薄膜材料是一种优良的电极材料.X射线θ-2θ扫描结果和很高的迁移率均表明,高质量的TiN薄膜材料被外延在Si衬底上.进一步在TiN/Si衬底上外延生长SrTiO3薄膜的结果表明,在Si上外延的TiN薄膜不仅具有很好的热稳定性,而且可以作为缓冲层或底电极外延生长其他的薄膜材料及多层结构.
採用激光分子束外延技術,利用兩步法,在Si單晶襯底上成功地外延生長齣TiN薄膜材料.原子力顯微鏡分析結果顯示, TiN薄膜材料錶麵光滑,在10 μm×10 μm範圍內,均方根粗糙度為0.842 nm.霍耳效應測量結果顯示,TiN薄膜在室溫條件下的電阻率為3.6×10-5 Ω·cm,遷移率達到583.0 cm2/V·S,錶明TiN薄膜材料是一種優良的電極材料.X射線θ-2θ掃描結果和很高的遷移率均錶明,高質量的TiN薄膜材料被外延在Si襯底上.進一步在TiN/Si襯底上外延生長SrTiO3薄膜的結果錶明,在Si上外延的TiN薄膜不僅具有很好的熱穩定性,而且可以作為緩遲層或底電極外延生長其他的薄膜材料及多層結構.
채용격광분자속외연기술,이용량보법,재Si단정츤저상성공지외연생장출TiN박막재료.원자력현미경분석결과현시, TiN박막재료표면광활,재10 μm×10 μm범위내,균방근조조도위0.842 nm.곽이효응측량결과현시,TiN박막재실온조건하적전조솔위3.6×10-5 Ω·cm,천이솔체도583.0 cm2/V·S,표명TiN박막재료시일충우량적전겁재료.X사선θ-2θ소묘결과화흔고적천이솔균표명,고질량적TiN박막재료피외연재Si츤저상.진일보재TiN/Si츤저상외연생장SrTiO3박막적결과표명,재Si상외연적TiN박막불부구유흔호적열은정성,이차가이작위완충층혹저전겁외연생장기타적박막재료급다층결구.
