硅酸盐学报
硅痠鹽學報
규산염학보
JOURNAL OF THE CHINESE CERAMIC SOCIETY
2008年
3期
337-340
,共4页
韩丽琴%杨梅君%沈强%张联盟
韓麗琴%楊梅君%瀋彊%張聯盟
한려금%양매군%침강%장련맹
硅化镁%放电等离子烧结%反应烧结%热电材料
硅化鎂%放電等離子燒結%反應燒結%熱電材料
규화미%방전등리자소결%반응소결%열전재료
硅化镁(Mg2Si)是一种窄带隙n-型半导体,具有高的电导率和低的热导率且无毒无污染、耐腐蚀,是很有潜力的环境友好型中温域热电材料.实验用高纯镁(Mg)粉和硅(Si)粉,系统研究了放电等离子烧结制备Mg2Si热电材料的工艺过程.测试了样品的密度.用X射线衍射、场发射扫描电镜表征了样品的相组成和显微结构.结果表明:Mg,Si完全固相反应的温度为823K,适度过量的Mg含量对纯相Mg2Si的获得非常重要.823K,250MPa,30min条件下制各样品的相对密度达到97%,但样品表面容易产生裂纹.经823K,6MPa,10min完全反应的Mg2Si在1 023 K,20 MPa,10 min条件下进行二次烧结,获得了结构均匀、相对密度为98T的Mg2Si块体热电材料.
硅化鎂(Mg2Si)是一種窄帶隙n-型半導體,具有高的電導率和低的熱導率且無毒無汙染、耐腐蝕,是很有潛力的環境友好型中溫域熱電材料.實驗用高純鎂(Mg)粉和硅(Si)粉,繫統研究瞭放電等離子燒結製備Mg2Si熱電材料的工藝過程.測試瞭樣品的密度.用X射線衍射、場髮射掃描電鏡錶徵瞭樣品的相組成和顯微結構.結果錶明:Mg,Si完全固相反應的溫度為823K,適度過量的Mg含量對純相Mg2Si的穫得非常重要.823K,250MPa,30min條件下製各樣品的相對密度達到97%,但樣品錶麵容易產生裂紋.經823K,6MPa,10min完全反應的Mg2Si在1 023 K,20 MPa,10 min條件下進行二次燒結,穫得瞭結構均勻、相對密度為98T的Mg2Si塊體熱電材料.
규화미(Mg2Si)시일충착대극n-형반도체,구유고적전도솔화저적열도솔차무독무오염、내부식,시흔유잠력적배경우호형중온역열전재료.실험용고순미(Mg)분화규(Si)분,계통연구료방전등리자소결제비Mg2Si열전재료적공예과정.측시료양품적밀도.용X사선연사、장발사소묘전경표정료양품적상조성화현미결구.결과표명:Mg,Si완전고상반응적온도위823K,괄도과량적Mg함량대순상Mg2Si적획득비상중요.823K,250MPa,30min조건하제각양품적상대밀도체도97%,단양품표면용역산생렬문.경823K,6MPa,10min완전반응적Mg2Si재1 023 K,20 MPa,10 min조건하진행이차소결,획득료결구균균、상대밀도위98T적Mg2Si괴체열전재료.
