激光与红外
激光與紅外
격광여홍외
LASER & INFRARED
2010年
8期
901-903
,共3页
黄锐%王旦清%王祥%陈坤基
黃銳%王旦清%王祥%陳坤基
황예%왕단청%왕상%진곤기
氮化硅%电致发光%光致发光
氮化硅%電緻髮光%光緻髮光
담화규%전치발광%광치발광
采用等离子体增强化学气相沉积方法低温制备非晶氮化硅薄膜,在低温下以氧气为气源,等离子体氧化非晶氮化硅薄膜,以这层薄作为有源层制备电致发光器件.实验结果表明以此方法制备的器件在正向偏置电压下可观测到强烈的黄绿光,发光峰位于540 nm,而且电致发光开启电压低,仅为6 V,功耗小.光致发光谱和电致发光谱测量表明发光来自同一种发光中心,即与Si-O相关的发光中心.
採用等離子體增彊化學氣相沉積方法低溫製備非晶氮化硅薄膜,在低溫下以氧氣為氣源,等離子體氧化非晶氮化硅薄膜,以這層薄作為有源層製備電緻髮光器件.實驗結果錶明以此方法製備的器件在正嚮偏置電壓下可觀測到彊烈的黃綠光,髮光峰位于540 nm,而且電緻髮光開啟電壓低,僅為6 V,功耗小.光緻髮光譜和電緻髮光譜測量錶明髮光來自同一種髮光中心,即與Si-O相關的髮光中心.
채용등리자체증강화학기상침적방법저온제비비정담화규박막,재저온하이양기위기원,등리자체양화비정담화규박막,이저층박작위유원층제비전치발광기건.실험결과표명이차방법제비적기건재정향편치전압하가관측도강렬적황록광,발광봉위우540 nm,이차전치발광개계전압저,부위6 V,공모소.광치발광보화전치발광보측량표명발광래자동일충발광중심,즉여Si-O상관적발광중심.
