真空与低温
真空與低溫
진공여저온
VACUUM AND CRYOGENICS
2010年
2期
108-112
,共5页
曾正清%李朝木%王宝林%李峰
曾正清%李朝木%王寶林%李峰
증정청%리조목%왕보림%리봉
负电子亲和势%GaN光电阴极激活%紫外敏感材料%新能带结构模型
負電子親和勢%GaN光電陰極激活%紫外敏感材料%新能帶結構模型
부전자친화세%GaN광전음겁격활%자외민감재료%신능대결구모형
采用低压金属有机化学气相沉积法在蓝宝石(0001)衬底上生长2～5 μm厚度的P-AlxGa1-xN/GaN层(0<X≤0.4),在AlxGa1-xN层中的Al浓度为0.2<X<0.7.P型GaN激活层的电子扩散长度确定为2～5 μm,并获得3×1019 cm-3的掺杂浓度.提出的GaN基光电阴极的表面能带结构模型,对实验结果给予了比较满意的解释.
採用低壓金屬有機化學氣相沉積法在藍寶石(0001)襯底上生長2～5 μm厚度的P-AlxGa1-xN/GaN層(0<X≤0.4),在AlxGa1-xN層中的Al濃度為0.2<X<0.7.P型GaN激活層的電子擴散長度確定為2～5 μm,併穫得3×1019 cm-3的摻雜濃度.提齣的GaN基光電陰極的錶麵能帶結構模型,對實驗結果給予瞭比較滿意的解釋.
채용저압금속유궤화학기상침적법재람보석(0001)츤저상생장2～5 μm후도적P-AlxGa1-xN/GaN층(0<X≤0.4),재AlxGa1-xN층중적Al농도위0.2<X<0.7.P형GaN격활층적전자확산장도학정위2～5 μm,병획득3×1019 cm-3적참잡농도.제출적GaN기광전음겁적표면능대결구모형,대실험결과급여료비교만의적해석.
