科技导报
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과기도보
SCIENCE & TECHNOLOGY REVIEW
2012年
6期
20-23
,共4页
MEMS%片上螺旋电感%COMS集成%Q值
MEMS%片上螺鏇電感%COMS集成%Q值
MEMS%편상라선전감%COMS집성%Q치
设计了一种与CMOS工艺兼容的MEMS片上螺旋电感.电感为矩形平面螺旋线圈结构,并采用电导率较高的铜代替铝制作线圈.利用MEMS技术设计了厚金属线圈,同时在CMOS级低阻硅衬底中刻蚀空腔,减小了线圈的串联电阻和衬底损耗,提高了电感的Q值.设计了与CMOS工艺相兼容的低温MEMS工艺和基于该工艺的1niH电感模型.使用HFSS软件对该电感模型进行仿真,结果表明,该电感在仿真频率为6.6GHz和10GHz时Q值分别达到了22.37和20.74,且自谐振频率大于20GHz,较传统的CMOS片上集成电感有明显改善；同时随着电感线圈厚度的增加,电感的Q值增加,而电感值(L值)则减小,且在仿真频段内电感值的变化小于5.5％.
設計瞭一種與CMOS工藝兼容的MEMS片上螺鏇電感.電感為矩形平麵螺鏇線圈結構,併採用電導率較高的銅代替鋁製作線圈.利用MEMS技術設計瞭厚金屬線圈,同時在CMOS級低阻硅襯底中刻蝕空腔,減小瞭線圈的串聯電阻和襯底損耗,提高瞭電感的Q值.設計瞭與CMOS工藝相兼容的低溫MEMS工藝和基于該工藝的1niH電感模型.使用HFSS軟件對該電感模型進行倣真,結果錶明,該電感在倣真頻率為6.6GHz和10GHz時Q值分彆達到瞭22.37和20.74,且自諧振頻率大于20GHz,較傳統的CMOS片上集成電感有明顯改善；同時隨著電感線圈厚度的增加,電感的Q值增加,而電感值(L值)則減小,且在倣真頻段內電感值的變化小于5.5％.
설계료일충여CMOS공예겸용적MEMS편상라선전감.전감위구형평면라선선권결구,병채용전도솔교고적동대체려제작선권.이용MEMS기술설계료후금속선권,동시재CMOS급저조규츤저중각식공강,감소료선권적천련전조화츤저손모,제고료전감적Q치.설계료여CMOS공예상겸용적저온MEMS공예화기우해공예적1niH전감모형.사용HFSS연건대해전감모형진행방진,결과표명,해전감재방진빈솔위6.6GHz화10GHz시Q치분별체도료22.37화20.74,차자해진빈솔대우20GHz,교전통적CMOS편상집성전감유명현개선；동시수착전감선권후도적증가,전감적Q치증가,이전감치(L치)칙감소,차재방진빈단내전감치적변화소우5.5％.
