真空科学与技术学报
真空科學與技術學報
진공과학여기술학보
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE AND TECHNOLOGY
2012年
3期
196-200
,共5页
段冰%王鹏年%陈富贵%黄友兰
段冰%王鵬年%陳富貴%黃友蘭
단빙%왕붕년%진부귀%황우란
等离子显示屏%电子束蒸镀%MgO薄膜%H2O+O2%气氛%H2O流量
等離子顯示屏%電子束蒸鍍%MgO薄膜%H2O+O2%氣氛%H2O流量
등리자현시병%전자속증도%MgO박막%H2O+O2%기분%H2O류량
采用电子束蒸镀法在H2O+O2气氛下制备了MgO介质保护膜,通过扫描电镜、X射线衍射(XRD)等方法分析了MgO薄膜的表面、截面形貌与晶体结构,研究了不同H2O流量下得到的MgO薄膜对等离子屏放电特性的影响.结果表明:MgO薄膜呈柱状结构,随H2O流量增加MgO晶粒尺寸变大、晶界减少；XRD分析结果显示H2O+ O2气氛下,MgO薄膜除(111)晶面择优取向外,还出现了(220)晶面取向；H2O气氛的通入降低了等离子屏的维持电压、改善了放电裕度,同时缩短了寻址放电延迟时间,有利于等离子屏节能降耗和实现快速寻址.
採用電子束蒸鍍法在H2O+O2氣氛下製備瞭MgO介質保護膜,通過掃描電鏡、X射線衍射(XRD)等方法分析瞭MgO薄膜的錶麵、截麵形貌與晶體結構,研究瞭不同H2O流量下得到的MgO薄膜對等離子屏放電特性的影響.結果錶明:MgO薄膜呈柱狀結構,隨H2O流量增加MgO晶粒呎吋變大、晶界減少；XRD分析結果顯示H2O+ O2氣氛下,MgO薄膜除(111)晶麵擇優取嚮外,還齣現瞭(220)晶麵取嚮；H2O氣氛的通入降低瞭等離子屏的維持電壓、改善瞭放電裕度,同時縮短瞭尋阯放電延遲時間,有利于等離子屏節能降耗和實現快速尋阯.
채용전자속증도법재H2O+O2기분하제비료MgO개질보호막,통과소묘전경、X사선연사(XRD)등방법분석료MgO박막적표면、절면형모여정체결구,연구료불동H2O류량하득도적MgO박막대등리자병방전특성적영향.결과표명:MgO박막정주상결구,수H2O류량증가MgO정립척촌변대、정계감소；XRD분석결과현시H2O+ O2기분하,MgO박막제(111)정면택우취향외,환출현료(220)정면취향；H2O기분적통입강저료등리자병적유지전압、개선료방전유도,동시축단료심지방전연지시간,유리우등리자병절능강모화실현쾌속심지.
