电子元件与材料
電子元件與材料
전자원건여재료
ELECTRONIC COMPONENTS & MATERIALS
2012年
7期
47-50
,共4页
文亚南%李琳%陈士荣%史成武%梁齐
文亞南%李琳%陳士榮%史成武%樑齊
문아남%리림%진사영%사성무%량제
Cu2ZnSnS4%射频磁控溅射%快速退火%多晶薄膜%择优取向
Cu2ZnSnS4%射頻磁控濺射%快速退火%多晶薄膜%擇優取嚮
Cu2ZnSnS4%사빈자공천사%쾌속퇴화%다정박막%택우취향
利用射频磁控溅射法在玻璃基片上制备了Cu2ZnSnS4( CZTS)薄膜,薄膜在室温下生长,再在Ar气氛中快速退火.通过X射线衍射、X射线电子能谱、原子力显微镜和吸收谱研究了退火温度对薄膜结构、组分、形貌和禁带宽度的影响.结果表明,所制备样品为Cu2ZnSnS4多晶薄膜,具有较强的沿(112)晶面择优取向生长的特点,薄膜组分均为富S贫Cu,样品表面形貌比较均匀.退火温度为350,400,450和500℃的薄膜样品的禁带宽度分别是1.49,1.53,1.51和1.46 eV.
利用射頻磁控濺射法在玻璃基片上製備瞭Cu2ZnSnS4( CZTS)薄膜,薄膜在室溫下生長,再在Ar氣氛中快速退火.通過X射線衍射、X射線電子能譜、原子力顯微鏡和吸收譜研究瞭退火溫度對薄膜結構、組分、形貌和禁帶寬度的影響.結果錶明,所製備樣品為Cu2ZnSnS4多晶薄膜,具有較彊的沿(112)晶麵擇優取嚮生長的特點,薄膜組分均為富S貧Cu,樣品錶麵形貌比較均勻.退火溫度為350,400,450和500℃的薄膜樣品的禁帶寬度分彆是1.49,1.53,1.51和1.46 eV.
이용사빈자공천사법재파리기편상제비료Cu2ZnSnS4( CZTS)박막,박막재실온하생장,재재Ar기분중쾌속퇴화.통과X사선연사、X사선전자능보、원자력현미경화흡수보연구료퇴화온도대박막결구、조분、형모화금대관도적영향.결과표명,소제비양품위Cu2ZnSnS4다정박막,구유교강적연(112)정면택우취향생장적특점,박막조분균위부S빈Cu,양품표면형모비교균균.퇴화온도위350,400,450화500℃적박막양품적금대관도분별시1.49,1.53,1.51화1.46 eV.
