北京科技大学学报
北京科技大學學報
북경과기대학학보
JOURNAL OF UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY BEIJING
2008年
5期
517-521
,共5页
杜中美%蔡永香%丁雷%朱熠%李明华%滕蛟%于广华
杜中美%蔡永香%丁雷%硃熠%李明華%滕蛟%于廣華
두중미%채영향%정뢰%주습%리명화%등교%우엄화
表面活性剂%自旋阀多层膜%交换耦合场%X射线光电子能谱
錶麵活性劑%自鏇閥多層膜%交換耦閤場%X射線光電子能譜
표면활성제%자선벌다층막%교환우합장%X사선광전자능보
采用磁控溅射方法制备了Ta(10nm)/NiFe(8nm)/Cu(2.6nm)/NiFe(3.6nm)/FeMn(9nm)/Ta(10nm)自旋阀多层膜. 在Cu/NiFe界面沉积适量厚度的Bi原子能够有效地提高交换耦合场,沉积过量的Bi原子会导致交换耦合场下降. X射线光电子能谱分析结果表明:沉积在Cu/NiFe界面的Bi原子可以有效地抑制Cu原子在NiFe层表面的偏聚;当沉积过量的Bi原子时,Bi原子会进一步迁移到FeMn中,形成杂质,从而破坏了FeMn的反铁磁性,使交换耦合场降低.
採用磁控濺射方法製備瞭Ta(10nm)/NiFe(8nm)/Cu(2.6nm)/NiFe(3.6nm)/FeMn(9nm)/Ta(10nm)自鏇閥多層膜. 在Cu/NiFe界麵沉積適量厚度的Bi原子能夠有效地提高交換耦閤場,沉積過量的Bi原子會導緻交換耦閤場下降. X射線光電子能譜分析結果錶明:沉積在Cu/NiFe界麵的Bi原子可以有效地抑製Cu原子在NiFe層錶麵的偏聚;噹沉積過量的Bi原子時,Bi原子會進一步遷移到FeMn中,形成雜質,從而破壞瞭FeMn的反鐵磁性,使交換耦閤場降低.
채용자공천사방법제비료Ta(10nm)/NiFe(8nm)/Cu(2.6nm)/NiFe(3.6nm)/FeMn(9nm)/Ta(10nm)자선벌다층막. 재Cu/NiFe계면침적괄량후도적Bi원자능구유효지제고교환우합장,침적과량적Bi원자회도치교환우합장하강. X사선광전자능보분석결과표명:침적재Cu/NiFe계면적Bi원자가이유효지억제Cu원자재NiFe층표면적편취;당침적과량적Bi원자시,Bi원자회진일보천이도FeMn중,형성잡질,종이파배료FeMn적반철자성,사교환우합장강저.
