功能材料
功能材料
공능재료
JOURNAL OF FUNCTIONAL MATERIALS
2009年
3期
483-485
,共3页
黄锐%林璇英%余云鹏%林揆训
黃銳%林璇英%餘雲鵬%林揆訓
황예%림선영%여운붕%림규훈
纳米晶硅薄膜%SiCl4%生长速率%晶化度
納米晶硅薄膜%SiCl4%生長速率%晶化度
납미정규박막%SiCl4%생장속솔%정화도
以SiCl4和H2为气源,用等离子体增强化学气相沉积技术,在300℃的低温下,研究不同的氢流量对纳米晶硅薄膜生长特性的影响.实验发现,氢对薄膜生长特性的影响有异于SiH4/H2,在一定功率下,薄膜的晶化率随氢流量的减小而增加;而薄膜的生长速率也强烈依赖于氢流量,随氢流量的减小而增大,与氢流量对薄膜晶化度的变化关系一致.通过调控氢流量,在低氢流量条件下获得了生长速率高达0.35nm/s,晶化度高达76%的晶化硅薄膜.
以SiCl4和H2為氣源,用等離子體增彊化學氣相沉積技術,在300℃的低溫下,研究不同的氫流量對納米晶硅薄膜生長特性的影響.實驗髮現,氫對薄膜生長特性的影響有異于SiH4/H2,在一定功率下,薄膜的晶化率隨氫流量的減小而增加;而薄膜的生長速率也彊烈依賴于氫流量,隨氫流量的減小而增大,與氫流量對薄膜晶化度的變化關繫一緻.通過調控氫流量,在低氫流量條件下穫得瞭生長速率高達0.35nm/s,晶化度高達76%的晶化硅薄膜.
이SiCl4화H2위기원,용등리자체증강화학기상침적기술,재300℃적저온하,연구불동적경류량대납미정규박막생장특성적영향.실험발현,경대박막생장특성적영향유이우SiH4/H2,재일정공솔하,박막적정화솔수경류량적감소이증가;이박막적생장속솔야강렬의뢰우경류량,수경류량적감소이증대,여경류량대박막정화도적변화관계일치.통과조공경류량,재저경류량조건하획득료생장속솔고체0.35nm/s,정화도고체76%적정화규박막.
