光子学报
光子學報
광자학보
ACTA PHOTONICA SINICA
2012年
2期
170-172
,共3页
罗海瀚%刘定权%尹欣%蔡渊%张莉
囉海瀚%劉定權%尹訢%蔡淵%張莉
라해한%류정권%윤흔%채연%장리
光学薄膜%聚集密度%一氧化硅%沉积温度
光學薄膜%聚集密度%一氧化硅%沉積溫度
광학박막%취집밀도%일양화규%침적온도
一氧化硅(SiO)薄膜是中短波红外区最常用的光学薄膜之一,高的聚集密度对于提升光谱稳定性和光学薄膜元件的品质非常重要.选用纯度为99.99％的SiO块状材料,在5×10-4 Pa背景真空中用钼舟蒸发沉积,石英晶振仪将沉积速率控制在1.2～1.5 nm/s范围,硅基片上的膜层厚度约为2.2～2.4 μm,在不同沉积温度下制备样品.用傅里叶红外光谱仪分别测试新鲜薄膜和充分浸湿薄膜的光谱曲线,根据波长漂移理论,计算出薄膜的聚集密度.结果表明:聚集密度随沉积温度的升高而增加,从常温沉积的约0.91上升到250℃沉积的0.99以上.
一氧化硅(SiO)薄膜是中短波紅外區最常用的光學薄膜之一,高的聚集密度對于提升光譜穩定性和光學薄膜元件的品質非常重要.選用純度為99.99％的SiO塊狀材料,在5×10-4 Pa揹景真空中用鉬舟蒸髮沉積,石英晶振儀將沉積速率控製在1.2～1.5 nm/s範圍,硅基片上的膜層厚度約為2.2～2.4 μm,在不同沉積溫度下製備樣品.用傅裏葉紅外光譜儀分彆測試新鮮薄膜和充分浸濕薄膜的光譜麯線,根據波長漂移理論,計算齣薄膜的聚集密度.結果錶明:聚集密度隨沉積溫度的升高而增加,從常溫沉積的約0.91上升到250℃沉積的0.99以上.
일양화규(SiO)박막시중단파홍외구최상용적광학박막지일,고적취집밀도대우제승광보은정성화광학박막원건적품질비상중요.선용순도위99.99％적SiO괴상재료,재5×10-4 Pa배경진공중용목주증발침적,석영정진의장침적속솔공제재1.2～1.5 nm/s범위,규기편상적막층후도약위2.2～2.4 μm,재불동침적온도하제비양품.용부리협홍외광보의분별측시신선박막화충분침습박막적광보곡선,근거파장표이이론,계산출박막적취집밀도.결과표명:취집밀도수침적온도적승고이증가,종상온침적적약0.91상승도250℃침적적0.99이상.
