光谱学与光谱分析
光譜學與光譜分析
광보학여광보분석
SPECTROSCOPY AND SPECTRAL ANALYSIS
2012年
6期
1476-1479
,共4页
罗彩香%夏海平%虞灿%张约品%徐军
囉綵香%夏海平%虞燦%張約品%徐軍
라채향%하해평%우찬%장약품%서군
O2退火%γ射线%光谱%Bi离子
O2退火%γ射線%光譜%Bi離子
O2퇴화%γ사선%광보%Bi리자
用500和800℃,在氧气下,对掺Bi钨酸镉晶体进行热退火处理,测定了处理后晶体的吸收光谱与发射光谱.随退火处理温度的升高晶体的吸收强度降低,吸收边带发生蓝移.在373与980 nm的光激发下,分别观察到发光中心为528 nm的CdWO4晶体本征发光与发光中心为1078 mm的Bi5+发光.晶体样品通过高温氧气处理,发光中心为528 nm的荧光带强度增强,但发光中心为1078 nm的荧光带强度变弱.这可能是由于氧退火使Bi5+转化成Bi3+所致.经退火处理后,晶体的颜色逐渐变浅,透光率明显提高,这是由于晶体中氧空位减少所致.经γ射线辐照处理后,528 nm处的发光增强,而1078 nm处的发光减弱,这可能是由于γ射线辐照后导致Bi5+变成Bi3+.
用500和800℃,在氧氣下,對摻Bi鎢痠鎘晶體進行熱退火處理,測定瞭處理後晶體的吸收光譜與髮射光譜.隨退火處理溫度的升高晶體的吸收彊度降低,吸收邊帶髮生藍移.在373與980 nm的光激髮下,分彆觀察到髮光中心為528 nm的CdWO4晶體本徵髮光與髮光中心為1078 mm的Bi5+髮光.晶體樣品通過高溫氧氣處理,髮光中心為528 nm的熒光帶彊度增彊,但髮光中心為1078 nm的熒光帶彊度變弱.這可能是由于氧退火使Bi5+轉化成Bi3+所緻.經退火處理後,晶體的顏色逐漸變淺,透光率明顯提高,這是由于晶體中氧空位減少所緻.經γ射線輻照處理後,528 nm處的髮光增彊,而1078 nm處的髮光減弱,這可能是由于γ射線輻照後導緻Bi5+變成Bi3+.
용500화800℃,재양기하,대참Bi오산력정체진행열퇴화처리,측정료처리후정체적흡수광보여발사광보.수퇴화처리온도적승고정체적흡수강도강저,흡수변대발생람이.재373여980 nm적광격발하,분별관찰도발광중심위528 nm적CdWO4정체본정발광여발광중심위1078 mm적Bi5+발광.정체양품통과고온양기처리,발광중심위528 nm적형광대강도증강,단발광중심위1078 nm적형광대강도변약.저가능시유우양퇴화사Bi5+전화성Bi3+소치.경퇴화처리후,정체적안색축점변천,투광솔명현제고,저시유우정체중양공위감소소치.경γ사선복조처리후,528 nm처적발광증강,이1078 nm처적발광감약,저가능시유우γ사선복조후도치Bi5+변성Bi3+.
