半导体情报
半導體情報
반도체정보
SEMICONDUCTOR INFORMATION
2001年
6期
39-41,51
,共4页
杨宏%王鹤%陈光德%于化丛%奚建平
楊宏%王鶴%陳光德%于化叢%奚建平
양굉%왕학%진광덕%우화총%해건평
等离子增强化学汽相沉积%太阳电池%氮化硅
等離子增彊化學汽相沉積%太暘電池%氮化硅
등리자증강화학기상침적%태양전지%담화규
全面介绍了等离子增强化学汽相沉积(PECVD)纳米氮化硅(SiNx:H)光电薄膜的技术发展及现状,分析了PECVD法沉积的SiNx:H薄膜对多晶硅太阳电池的体钝化和表面钝化机理.
全麵介紹瞭等離子增彊化學汽相沉積(PECVD)納米氮化硅(SiNx:H)光電薄膜的技術髮展及現狀,分析瞭PECVD法沉積的SiNx:H薄膜對多晶硅太暘電池的體鈍化和錶麵鈍化機理.
전면개소료등리자증강화학기상침적(PECVD)납미담화규(SiNx:H)광전박막적기술발전급현상,분석료PECVD법침적적SiNx:H박막대다정규태양전지적체둔화화표면둔화궤리.
