科学技术与工程
科學技術與工程
과학기술여공정
SCIENCE TECHNOLOGY AND ENGINEERING
2003年
1期
71-74
,共4页
裴素华%修显武%孙海波%周忠平%张晓华
裴素華%脩顯武%孫海波%週忠平%張曉華
배소화%수현무%손해파%주충평%장효화
Ga SiO2-Si内界面 分凝效应
Ga SiO2-Si內界麵 分凝效應
Ga SiO2-Si내계면 분응효응
采用开管方式和SiO2/Si系统,实现了P型杂质Ga在硅中的可控制掺杂.借助二次离子质谱(SIMS)和扩展电阻(SRP)分析方法,对已掺Ga的杂质硅,在二次氧化过程中产生的分凝效应进行了系统研究,首次得出Ga分凝的规律性,导出了Ga在SiO2-Si内界面Si一侧最低浓度值随时间变化的表达式.为全面理解Ga的扩散特性和建立开管扩Ga模型奠定了基础.
採用開管方式和SiO2/Si繫統,實現瞭P型雜質Ga在硅中的可控製摻雜.藉助二次離子質譜(SIMS)和擴展電阻(SRP)分析方法,對已摻Ga的雜質硅,在二次氧化過程中產生的分凝效應進行瞭繫統研究,首次得齣Ga分凝的規律性,導齣瞭Ga在SiO2-Si內界麵Si一側最低濃度值隨時間變化的錶達式.為全麵理解Ga的擴散特性和建立開管擴Ga模型奠定瞭基礎.
채용개관방식화SiO2/Si계통,실현료P형잡질Ga재규중적가공제참잡.차조이차리자질보(SIMS)화확전전조(SRP)분석방법,대이참Ga적잡질규,재이차양화과정중산생적분응효응진행료계통연구,수차득출Ga분응적규률성,도출료Ga재SiO2-Si내계면Si일측최저농도치수시간변화적표체식.위전면리해Ga적확산특성화건립개관확Ga모형전정료기출.
