金属学报
金屬學報
금속학보
ACTA METALLURGICA SINICA
2007年
6期
599-602
,共4页
张辉%滕蛟%于广华%吴杏芳%朱逢吾
張輝%滕蛟%于廣華%吳杏芳%硃逢吾
장휘%등교%우엄화%오행방%주봉오
NiFe膜%各向异性磁电阻(AMR)%AMR元件%非均匀退磁场%磁化反转
NiFe膜%各嚮異性磁電阻(AMR)%AMR元件%非均勻退磁場%磁化反轉
NiFe막%각향이성자전조(AMR)%AMR원건%비균균퇴자장%자화반전
采用磁控溅射方法制备了NiFe各向异性磁电阻(AMR)薄膜,经过光学曝光及离子刻蚀将NiFe薄膜制成了厚度t=20 nm、长度l=2.5 mm、宽度w分别为50,20,10,5和3μm的AMR元件.测量了AMR元件的磁电阻效应.考虑沿宽度方向退磁场的非均匀性,计算了磁电阻比率.结果表明,宽度决定了AMR元件中的退磁场分布和边缘退磁场的大小,直接影响着AMR元件的磁化反转过程.宽度越小,元件中的边缘退磁场越大,在外磁场下的磁化反转也越困难.在磁化反转过程中,磁化反转先从中心开始,逐渐扩展到边缘.
採用磁控濺射方法製備瞭NiFe各嚮異性磁電阻(AMR)薄膜,經過光學曝光及離子刻蝕將NiFe薄膜製成瞭厚度t=20 nm、長度l=2.5 mm、寬度w分彆為50,20,10,5和3μm的AMR元件.測量瞭AMR元件的磁電阻效應.攷慮沿寬度方嚮退磁場的非均勻性,計算瞭磁電阻比率.結果錶明,寬度決定瞭AMR元件中的退磁場分佈和邊緣退磁場的大小,直接影響著AMR元件的磁化反轉過程.寬度越小,元件中的邊緣退磁場越大,在外磁場下的磁化反轉也越睏難.在磁化反轉過程中,磁化反轉先從中心開始,逐漸擴展到邊緣.
채용자공천사방법제비료NiFe각향이성자전조(AMR)박막,경과광학폭광급리자각식장NiFe박막제성료후도t=20 nm、장도l=2.5 mm、관도w분별위50,20,10,5화3μm적AMR원건.측량료AMR원건적자전조효응.고필연관도방향퇴자장적비균균성,계산료자전조비솔.결과표명,관도결정료AMR원건중적퇴자장분포화변연퇴자장적대소,직접영향착AMR원건적자화반전과정.관도월소,원건중적변연퇴자장월대,재외자장하적자화반전야월곤난.재자화반전과정중,자화반전선종중심개시,축점확전도변연.
