人工晶体学报
人工晶體學報
인공정체학보
2008年
2期
466-470
,共5页
范素华%张伟%王培吉%张丰庆%冯博楷%马建平
範素華%張偉%王培吉%張豐慶%馮博楷%馬建平
범소화%장위%왕배길%장봉경%풍박해%마건평
钙锶铋钛薄膜%Nd掺杂%铁电性能%Sol-gel法%膜厚
鈣鍶鉍鈦薄膜%Nd摻雜%鐵電性能%Sol-gel法%膜厚
개송필태박막%Nd참잡%철전성능%Sol-gel법%막후
采用Sol-gel法和层层快速退火工艺在Pt/Ti/SiO2/Si基片上制备了厚度不同Nd掺杂的钙锶铋钛(C0.4S0.6NT)铁电薄膜.研究了单层膜厚和总膜厚对于薄膜的(200)择优取向、显微结构及铁电性能的影响.发现:恰当的单层膜厚度,有助于薄膜(200)峰的择优取向和铁电性能;单层膜厚度约为60 nm,总厚度约为420 nm时,C0.4S0.6NT薄膜的,I(200)/[I(119)+I(001)]相对强度较大,a轴取向的晶粒较多,具有较好的铁电性能,剩余极化(Pr)和矫顽场(Ec)分别为13.251μC/cm2,85.248 kV/cm.
採用Sol-gel法和層層快速退火工藝在Pt/Ti/SiO2/Si基片上製備瞭厚度不同Nd摻雜的鈣鍶鉍鈦(C0.4S0.6NT)鐵電薄膜.研究瞭單層膜厚和總膜厚對于薄膜的(200)擇優取嚮、顯微結構及鐵電性能的影響.髮現:恰噹的單層膜厚度,有助于薄膜(200)峰的擇優取嚮和鐵電性能;單層膜厚度約為60 nm,總厚度約為420 nm時,C0.4S0.6NT薄膜的,I(200)/[I(119)+I(001)]相對彊度較大,a軸取嚮的晶粒較多,具有較好的鐵電性能,剩餘極化(Pr)和矯頑場(Ec)分彆為13.251μC/cm2,85.248 kV/cm.
채용Sol-gel법화층층쾌속퇴화공예재Pt/Ti/SiO2/Si기편상제비료후도불동Nd참잡적개송필태(C0.4S0.6NT)철전박막.연구료단층막후화총막후대우박막적(200)택우취향、현미결구급철전성능적영향.발현:흡당적단층막후도,유조우박막(200)봉적택우취향화철전성능;단층막후도약위60 nm,총후도약위420 nm시,C0.4S0.6NT박막적,I(200)/[I(119)+I(001)]상대강도교대,a축취향적정립교다,구유교호적철전성능,잉여겁화(Pr)화교완장(Ec)분별위13.251μC/cm2,85.248 kV/cm.
