电子元件与材料
電子元件與材料
전자원건여재료
ELECTRONIC COMPONENTS & MATERIALS
2009年
1期
28-30
,共3页
无机非金属材料%ZnO薄膜%氧气浓度%形貌%结构
無機非金屬材料%ZnO薄膜%氧氣濃度%形貌%結構
무궤비금속재료%ZnO박막%양기농도%형모%결구
采用反应磁控溅射技术,在SiO2基底上制备了ZnO薄膜.通过原子力显微镜(AFM)和X射线电子能谱仪(XPS)对薄膜表面形貌及微结构进行了表征,分析了氧气浓度(体积分数为40% ～ 60%)对薄膜表面形貌和微结构的影响.结果表明:随着氧气体积分数的增大,薄膜c轴晶向生长减弱,表面形貌趋向平整,氧化反应程度增强;φ(O2)为60%时,薄膜表面粗糙度约为3 nm,其内部的r(Zn : O)接近1:1.
採用反應磁控濺射技術,在SiO2基底上製備瞭ZnO薄膜.通過原子力顯微鏡(AFM)和X射線電子能譜儀(XPS)對薄膜錶麵形貌及微結構進行瞭錶徵,分析瞭氧氣濃度(體積分數為40% ～ 60%)對薄膜錶麵形貌和微結構的影響.結果錶明:隨著氧氣體積分數的增大,薄膜c軸晶嚮生長減弱,錶麵形貌趨嚮平整,氧化反應程度增彊;φ(O2)為60%時,薄膜錶麵粗糙度約為3 nm,其內部的r(Zn : O)接近1:1.
채용반응자공천사기술,재SiO2기저상제비료ZnO박막.통과원자력현미경(AFM)화X사선전자능보의(XPS)대박막표면형모급미결구진행료표정,분석료양기농도(체적분수위40% ～ 60%)대박막표면형모화미결구적영향.결과표명:수착양기체적분수적증대,박막c축정향생장감약,표면형모추향평정,양화반응정도증강;φ(O2)위60%시,박막표면조조도약위3 nm,기내부적r(Zn : O)접근1:1.
