电镀与精饰
電鍍與精飾
전도여정식
PLATING & FINISHING
2010年
5期
1-3,11
,共4页
杨海丽%李运刚%张玉柱%唐国章%崔崇
楊海麗%李運剛%張玉柱%唐國章%崔崇
양해려%리운강%장옥주%당국장%최숭
配方优化%对称-单纯形设计%渗硅层
配方優化%對稱-單純形設計%滲硅層
배방우화%대칭-단순형설계%삼규층
采用对称-单纯形法对电沉积渗硅熔融盐配方进行了优化设计.设计结果表明,通过计算得到的渗层厚度与熔融盐成分之间的回归方程具有明显的显著性,选择出最佳配方为n(NaCl)∶n(KCl)∶n(NaF)∶n(SiO2)=1∶1∶3∶0.3,用此配方在低硅钢基体上获得了34.51μm渗硅层,实验值与预测值基本吻合.辉光放电光谱仪测定出渗硅层中Si元素呈梯度分布,渗硅层与基体结合良好,光学金相照片显示渗硅层厚度均匀.
採用對稱-單純形法對電沉積滲硅鎔融鹽配方進行瞭優化設計.設計結果錶明,通過計算得到的滲層厚度與鎔融鹽成分之間的迴歸方程具有明顯的顯著性,選擇齣最佳配方為n(NaCl)∶n(KCl)∶n(NaF)∶n(SiO2)=1∶1∶3∶0.3,用此配方在低硅鋼基體上穫得瞭34.51μm滲硅層,實驗值與預測值基本吻閤.輝光放電光譜儀測定齣滲硅層中Si元素呈梯度分佈,滲硅層與基體結閤良好,光學金相照片顯示滲硅層厚度均勻.
채용대칭-단순형법대전침적삼규용융염배방진행료우화설계.설계결과표명,통과계산득도적삼층후도여용융염성분지간적회귀방정구유명현적현저성,선택출최가배방위n(NaCl)∶n(KCl)∶n(NaF)∶n(SiO2)=1∶1∶3∶0.3,용차배방재저규강기체상획득료34.51μm삼규층,실험치여예측치기본문합.휘광방전광보의측정출삼규층중Si원소정제도분포,삼규층여기체결합량호,광학금상조편현시삼규층후도균균.
