CAJ | 학술논문

采用中频交流磁控溅射方法,在玻璃基底上沉积Cu-In预制膜,采用固态硫化法制备获得了CuInS2(CIS)吸收层薄膜.考察了硫化时间对于CIS薄膜结构、形貌以及禁带宽度影响.通过XRD分析了薄膜结构,通过SEM以及XRF分析薄膜表面形貌以及薄膜成分,通过近红外透过曲线得出薄膜禁带宽度.结果表明,在400 ℃硫化10,15,20,25,30 min下均能制得单一黄铜矿相CIS薄膜,并且具有(112)面择优取向.以上各硫化时间下,均能形成均匀且晶粒大小为1 μm的CIS薄膜,薄膜禁带宽度约为1.10～1.22 eV之间.
채용중빈교류자공천사방법,재파리기저상침적Cu-In예제막,채용고태류화법제비획득료CuInS2(CIS)흡수층박막.고찰료류화시간대우CIS박막결구、형모이급금대관도영향.통과XRD분석료박막결구,통과SEM이급XRF분석박막표면형모이급박막성분,통과근홍외투과곡선득출박막금대관도.결과표명,재400 ℃류화10,15,20,25,30 min하균능제득단일황동광상CIS박막,병차구유(112)면택우취향.이상각류화시간하,균능형성균균차정립대소위1 μm적CIS박막,박막금대관도약위1.10～1.22 eV지간.