红外与激光工程
紅外與激光工程
홍외여격광공정
INFRARED AND LASER ENGINEERING
2006年
4期
429-431,494
,共4页
王元樟%陈路%巫艳%吴俊%于梅芳%方维政%何力
王元樟%陳路%巫豔%吳俊%于梅芳%方維政%何力
왕원장%진로%무염%오준%우매방%방유정%하력
CdTe/Si%倒易点二维扫描图%剪切应变%分子束外延
CdTe/Si%倒易點二維掃描圖%剪切應變%分子束外延
CdTe/Si%도역점이유소묘도%전절응변%분자속외연
利用高分辨率X射线衍射技术对分子束外延CdTe(211)B/Si(211)材料的CdTe外延薄膜进行了倒易点二维扫描,并通过获得的对称衍射面和非对称衍射面的倒易空间图,对CdTe缓冲层的剪切应变状况进行了分析.研究发现,对于CdTe/Si结构,随着CdTe厚度的增加,[1-1-1]、[01-1]两个方向的剪切角γ[1-1-1]和γ[01-1]都有变小的趋势,且γ[1-1-1]的大小约为γ[01-1]的两倍;对于CdTe/ZnTe/Si结构,ZnTe缓冲层的引入可以有效地降低CdTe层的剪切应变.
利用高分辨率X射線衍射技術對分子束外延CdTe(211)B/Si(211)材料的CdTe外延薄膜進行瞭倒易點二維掃描,併通過穫得的對稱衍射麵和非對稱衍射麵的倒易空間圖,對CdTe緩遲層的剪切應變狀況進行瞭分析.研究髮現,對于CdTe/Si結構,隨著CdTe厚度的增加,[1-1-1]、[01-1]兩箇方嚮的剪切角γ[1-1-1]和γ[01-1]都有變小的趨勢,且γ[1-1-1]的大小約為γ[01-1]的兩倍;對于CdTe/ZnTe/Si結構,ZnTe緩遲層的引入可以有效地降低CdTe層的剪切應變.
이용고분변솔X사선연사기술대분자속외연CdTe(211)B/Si(211)재료적CdTe외연박막진행료도역점이유소묘,병통과획득적대칭연사면화비대칭연사면적도역공간도,대CdTe완충층적전절응변상황진행료분석.연구발현,대우CdTe/Si결구,수착CdTe후도적증가,[1-1-1]、[01-1]량개방향적전절각γ[1-1-1]화γ[01-1]도유변소적추세,차γ[1-1-1]적대소약위γ[01-1]적량배;대우CdTe/ZnTe/Si결구,ZnTe완충층적인입가이유효지강저CdTe층적전절응변.
