半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2011年
4期
257-260
,共4页
张安%赵小如%段利兵%赵建林%白晓军
張安%趙小如%段利兵%趙建林%白曉軍
장안%조소여%단리병%조건림%백효군
非晶IGZO%薄膜晶体管%表面势%态密度%解析模型
非晶IGZO%薄膜晶體管%錶麵勢%態密度%解析模型
비정IGZO%박막정체관%표면세%태밀도%해석모형
报道了一种适于模拟n沟道非晶IGZO薄膜晶体管(a-IGZO TFT)的直流I-V特性的分析模型.该模型充分考虑了深能级类受主态对自由电子的捕获,并将表面势的概念引入a-IGZO TFT结构.在分析器件能带结构和载流子输运的基础上,参考Si基MOSFET中表面势模型的分析方法,利用半导体-绝缘体界面电荷的泊松方程表达,并结合能带-电压关系,导出了器件饱和区和非饱和区的I-V解析表达式.通过Matlab编程模拟了a-IGZO TFT的转移特征曲线和输出特征曲线,对文献中实验数据进行拟合发现,提出的模型与实验数据均能很好地吻合.该模型结构简明,所包含的参数物理意义明确,有很强的实用性.
報道瞭一種適于模擬n溝道非晶IGZO薄膜晶體管(a-IGZO TFT)的直流I-V特性的分析模型.該模型充分攷慮瞭深能級類受主態對自由電子的捕穫,併將錶麵勢的概唸引入a-IGZO TFT結構.在分析器件能帶結構和載流子輸運的基礎上,參攷Si基MOSFET中錶麵勢模型的分析方法,利用半導體-絕緣體界麵電荷的泊鬆方程錶達,併結閤能帶-電壓關繫,導齣瞭器件飽和區和非飽和區的I-V解析錶達式.通過Matlab編程模擬瞭a-IGZO TFT的轉移特徵麯線和輸齣特徵麯線,對文獻中實驗數據進行擬閤髮現,提齣的模型與實驗數據均能很好地吻閤.該模型結構簡明,所包含的參數物理意義明確,有很彊的實用性.
보도료일충괄우모의n구도비정IGZO박막정체관(a-IGZO TFT)적직류I-V특성적분석모형.해모형충분고필료심능급류수주태대자유전자적포획,병장표면세적개념인입a-IGZO TFT결구.재분석기건능대결구화재류자수운적기출상,삼고Si기MOSFET중표면세모형적분석방법,이용반도체-절연체계면전하적박송방정표체,병결합능대-전압관계,도출료기건포화구화비포화구적I-V해석표체식.통과Matlab편정모의료a-IGZO TFT적전이특정곡선화수출특정곡선,대문헌중실험수거진행의합발현,제출적모형여실험수거균능흔호지문합.해모형결구간명,소포함적삼수물리의의명학,유흔강적실용성.
