改善沉积氮化硅薄膜对FFS-TFT透明电极ITO影响的研究
개선침적담화규박막대FFS-TFT투명전겁ITO영향적연구
SiNx Buffer Layers and Transparence Improvement of Indium-Tin-Oxide Electrode
  • 万方数据
    真空科学与技术学报 진공과학여기술학보
    JOURNAL OF VACUUM SCIENCE AND TECHNOLOGY
    2012年 1期 36-38 ,共3页

    刘翔%薛建设%周伟峰%戴天明%郝照慧%杨静%宁策%张学辉%孙冰

    류상%설건설%주위봉%대천명%학조혜%양정%저책%장학휘%손빙

    FFS-TFT%铟锡氧化物%氮化硅%透过率%薄雾 FFS-TFT%銦錫氧化物%氮化硅%透過率%薄霧
    FFS-TFT%인석양화물%담화규%투과솔%박무
    研究了在FFS-TFT制作工艺中,沉积非晶氮化硅薄膜对透明金属ITO的影响.结果表明沉积氮化硅薄膜的硅烷流量对ITO的透过率有着很大影响,降低硅烷的流量可以阻止薄雾状姆拉的产生.通过优化氮化硅薄膜沉积条件,先在透明导电金属ITO薄膜上面使用低流量硅烷沉积一薄层氮化硅作为缓冲层,然后使用高流量的硅烷在其上再沉积氮化硅薄膜,这样不仅解决了薄雾状姆拉,同时还以提高氮化硅的沉积速率,满足生产需求.
    연구료재FFS-TFT제작공예중,침적비정담화규박막대투명금속ITO적영향.결과표명침적담화규박막적규완류량대ITO적투과솔유착흔대영향,강저규완적류량가이조지박무상모랍적산생.통과우화담화규박막침적조건,선재투명도전금속ITO박막상면사용저류량규완침적일박층담화규작위완충층,연후사용고류량적규완재기상재침적담화규박막,저양불부해결료박무상모랍,동시환이제고담화규적침적속솔,만족생산수구.
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