西安电子科技大学学报（自然科学版）
西安電子科技大學學報（自然科學版）
서안전자과기대학학보（자연과학판）
JOURNAL OF XIDIAN UNIVERSITY(NATURAL SCIENCE)
2012年
3期
209-212
,共4页
戴显英%王琳%杨程%郑若川%张鹤鸣%郝跃
戴顯英%王琳%楊程%鄭若川%張鶴鳴%郝躍
대현영%왕림%양정%정약천%장학명%학약
绝缘层上硅%单轴应变%机械弯曲%弹塑性力学
絕緣層上硅%單軸應變%機械彎麯%彈塑性力學
절연층상규%단축응변%궤계만곡%탄소성역학
提出了一种晶圆级单轴应变绝缘层上硅(SOI)的新方法,并阐述了其工艺原理.将直径为100 mm (4英寸)的SOI晶圆片在曲率半径为0.75m的弧形弯曲台上进行机械弯曲,弯曲状态下的SOI晶圆片在250℃下进行了20 h的热退火处理.对弯曲退火后SOI晶圆片进行了拉曼光谱表征,其拉曼频移为520.3cm-1,小于体硅的典型值,拉曼频移差达到-0.3 cm-1,说明弯曲退火后的SOI晶圆片发生了单轴张应变.相应的应变量计算为0.077％,高于文献报道的0.059％.
提齣瞭一種晶圓級單軸應變絕緣層上硅(SOI)的新方法,併闡述瞭其工藝原理.將直徑為100 mm (4英吋)的SOI晶圓片在麯率半徑為0.75m的弧形彎麯檯上進行機械彎麯,彎麯狀態下的SOI晶圓片在250℃下進行瞭20 h的熱退火處理.對彎麯退火後SOI晶圓片進行瞭拉曼光譜錶徵,其拉曼頻移為520.3cm-1,小于體硅的典型值,拉曼頻移差達到-0.3 cm-1,說明彎麯退火後的SOI晶圓片髮生瞭單軸張應變.相應的應變量計算為0.077％,高于文獻報道的0.059％.
제출료일충정원급단축응변절연층상규(SOI)적신방법,병천술료기공예원리.장직경위100 mm (4영촌)적SOI정원편재곡솔반경위0.75m적호형만곡태상진행궤계만곡,만곡상태하적SOI정원편재250℃하진행료20 h적열퇴화처리.대만곡퇴화후SOI정원편진행료랍만광보표정,기랍만빈이위520.3cm-1,소우체규적전형치,랍만빈이차체도-0.3 cm-1,설명만곡퇴화후적SOI정원편발생료단축장응변.상응적응변량계산위0.077％,고우문헌보도적0.059％.
