微纳电子技术
微納電子技術
미납전자기술
MICRONANOELECTRONIC TECHNOLOGY
2002年
4期
22-24，29
,共4页
马振昌%宗婉华%衡成林%秦国刚%吴正龙
馬振昌%宗婉華%衡成林%秦國剛%吳正龍
마진창%종완화%형성림%진국강%오정룡
磁控溅射%纳米硅晶粒%富硅SiO2薄膜
磁控濺射%納米硅晶粒%富硅SiO2薄膜
자공천사%납미규정립%부규SiO2박막
利用硅-SiO2复合靶,RF磁控溅射技术制备了三种富硅量不同的SiO2薄膜,并在较大的温度范围内进行了退火.利用X射线光电子能谱,对刚淀积的样品进行了分析,结果表明三种样品都存在纳米硅粒子.使用高分辨率透射电子显微镜和电子衍射技术研究了退火后样品中纳米硅粒子析出和结晶情况,富硅量较大的两种SiO2薄膜都观测到纳米硅晶粒.统计结果表明:复合靶中硅组分从20%增加到30%,纳米硅晶粒的平均尺寸增加了15%、密度增加了2.5倍,而且随着退火温度从900℃增加到1100~C,纳米硅晶粒的平均尺寸和密度都明显增加.
利用硅-SiO2複閤靶,RF磁控濺射技術製備瞭三種富硅量不同的SiO2薄膜,併在較大的溫度範圍內進行瞭退火.利用X射線光電子能譜,對剛澱積的樣品進行瞭分析,結果錶明三種樣品都存在納米硅粒子.使用高分辨率透射電子顯微鏡和電子衍射技術研究瞭退火後樣品中納米硅粒子析齣和結晶情況,富硅量較大的兩種SiO2薄膜都觀測到納米硅晶粒.統計結果錶明:複閤靶中硅組分從20%增加到30%,納米硅晶粒的平均呎吋增加瞭15%、密度增加瞭2.5倍,而且隨著退火溫度從900℃增加到1100~C,納米硅晶粒的平均呎吋和密度都明顯增加.
이용규-SiO2복합파,RF자공천사기술제비료삼충부규량불동적SiO2박막,병재교대적온도범위내진행료퇴화.이용X사선광전자능보,대강정적적양품진행료분석,결과표명삼충양품도존재납미규입자.사용고분변솔투사전자현미경화전자연사기술연구료퇴화후양품중납미규입자석출화결정정황,부규량교대적량충SiO2박막도관측도납미규정립.통계결과표명:복합파중규조분종20%증가도30%,납미규정립적평균척촌증가료15%、밀도증가료2.5배,이차수착퇴화온도종900℃증가도1100~C,납미규정립적평균척촌화밀도도명현증가.
