超低压选择区域生长法制备产生10 GHz重复率超短光脉冲的级联电吸收调制器与分布反馈激光器单片集成光源
초저압선택구역생장법제비산생10 GHz중복솔초단광맥충적급련전흡수조제기여분포반궤격광기단편집성광원
10 GHz optical short pulse generation using tandem electroabsorption modulators monolithically integrated with distributed feedback laser by ultra-low-pressure selective area growth
  • 万方数据
    物理学报 물이학보

    2006年 1期 261-266 ,共6页

    赵谦%潘教青%张靖%周光涛%伍剑%周帆%王宝军%王鲁峰%王圩

    조겸%반교청%장정%주광도%오검%주범%왕보군%왕로봉%왕우

    超低压%选择区域生长%集成光电子器件%超短光脉冲 超低壓%選擇區域生長%集成光電子器件%超短光脈遲
    초저압%선택구역생장%집성광전자기건%초단광맥충
    采用超低压(22×102Pa)选择区域生长(selective area growth,SAG)金属有机化学气相沉积(metal-organic chemicalvapor deposition,MOCVD)技术成功制备了InGaAsP/InGaAsP级联电吸收调制器(electroabsorption modulator,EAM)与分布反馈激光器(distributed feedback laser,DFB)单片集成光源的新型光电器件.实验结果表明,采用该技术制备的器件具有良好的性能:激射阈值为19 mA,出光功率为4.5 mW,在5 V的驱动电压下达到了20dB的消光比,器件3dB响应带宽达到了10GHz以上.应用这种新型器件,利用级联EAM的光开关效应,获得了重复率为10 GHz、半高宽(full-width-at-half-maximum,FWHM)为13.7 ps的超短光脉冲.
    채용초저압(22×102Pa)선택구역생장(selective area growth,SAG)금속유궤화학기상침적(metal-organic chemicalvapor deposition,MOCVD)기술성공제비료InGaAsP/InGaAsP급련전흡수조제기(electroabsorption modulator,EAM)여분포반궤격광기(distributed feedback laser,DFB)단편집성광원적신형광전기건.실험결과표명,채용해기술제비적기건구유량호적성능:격사역치위19 mA,출광공솔위4.5 mW,재5 V적구동전압하체도료20dB적소광비,기건3dB향응대관체도료10GHz이상.응용저충신형기건,이용급련EAM적광개관효응,획득료중복솔위10 GHz、반고관(full-width-at-half-maximum,FWHM)위13.7 ps적초단광맥충.
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