微电子学
微電子學
미전자학
MICROELECTRONICS
2007年
3期
407-410
,共4页
张奉江%吴贵能%张红%张正璠
張奉江%吳貴能%張紅%張正璠
장봉강%오귀능%장홍%장정번
共源共栅运算放大器%共模反馈电路%共模抑制比
共源共柵運算放大器%共模反饋電路%共模抑製比
공원공책운산방대기%공모반궤전로%공모억제비
介绍了一种具有高增益,高电源抑制比(CMRR)和大带宽的两级共源共栅运算放大器.此电路在两级共源共栅运算放大器的基础上增加共模反馈电路,以提高共模抑制比和增加电路的稳定性.电路采用0.35 μm标准CMOS工艺库,在Cadence环境下进行仿真.结果显示,该放大器增益可达到101 dB,负载电容为10 pF时,单位增益带宽大约为163 MHz,共模抑制比可达101dB,电路功耗仅为0.5 mW.
介紹瞭一種具有高增益,高電源抑製比(CMRR)和大帶寬的兩級共源共柵運算放大器.此電路在兩級共源共柵運算放大器的基礎上增加共模反饋電路,以提高共模抑製比和增加電路的穩定性.電路採用0.35 μm標準CMOS工藝庫,在Cadence環境下進行倣真.結果顯示,該放大器增益可達到101 dB,負載電容為10 pF時,單位增益帶寬大約為163 MHz,共模抑製比可達101dB,電路功耗僅為0.5 mW.
개소료일충구유고증익,고전원억제비(CMRR)화대대관적량급공원공책운산방대기.차전로재량급공원공책운산방대기적기출상증가공모반궤전로,이제고공모억제비화증가전로적은정성.전로채용0.35 μm표준CMOS공예고,재Cadence배경하진행방진.결과현시,해방대기증익가체도101 dB,부재전용위10 pF시,단위증익대관대약위163 MHz,공모억제비가체101dB,전로공모부위0.5 mW.
