微电子学
微電子學
미전자학
MICROELECTRONICS
2007年
3期
326-329
,共4页
VDMOS管%工艺模拟%器件模拟%转移特性
VDMOS管%工藝模擬%器件模擬%轉移特性
VDMOS관%공예모의%기건모의%전이특성
在衡量半导体器件是否符合设计要求时,技术指标首先指器件直流电学性能,包括输出特性曲线和转移特性曲线,以及相应的电学参数.文章在介绍工艺与器件模拟方法的基础上,针对不同的工艺参数、结构和材料特性,开展器件模拟,分析与研究器件的电学特性.通过模拟研究,确认影响电学性能的主要因素,为研制VDMOS样管提供理论指导.
在衡量半導體器件是否符閤設計要求時,技術指標首先指器件直流電學性能,包括輸齣特性麯線和轉移特性麯線,以及相應的電學參數.文章在介紹工藝與器件模擬方法的基礎上,針對不同的工藝參數、結構和材料特性,開展器件模擬,分析與研究器件的電學特性.通過模擬研究,確認影響電學性能的主要因素,為研製VDMOS樣管提供理論指導.
재형량반도체기건시부부합설계요구시,기술지표수선지기건직류전학성능,포괄수출특성곡선화전이특성곡선,이급상응적전학삼수.문장재개소공예여기건모의방법적기출상,침대불동적공예삼수、결구화재료특성,개전기건모의,분석여연구기건적전학특성.통과모의연구,학인영향전학성능적주요인소,위연제VDMOS양관제공이론지도.
