半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2008年
7期
571-574
,共4页
王党会%许天旱%谢端%王党朝
王黨會%許天旱%謝耑%王黨朝
왕당회%허천한%사단%왕당조
纵向双扩散金属氧化物半导体%辐照%1/f噪声%γ值
縱嚮雙擴散金屬氧化物半導體%輻照%1/f譟聲%γ值
종향쌍확산금속양화물반도체%복조%1/f조성%γ치
介绍了用于航空航天DC/DC转换器中的VDMOS器件和电离辐照前后低频1/f噪声的变化.研究了电离辐照情况下VDMOS器件的阈值电压漂移、跨导的退化对1/f噪声幅值、γ值的影响.结合实验,比较器件1/f噪声幅值和γ值在辐照前后的变化,对其抗辐照性能做表征研究.对VDMOS器件在辐照前后的变化做了分析,从γ值分形的角度简要说明辐照对器件产生的影响.
介紹瞭用于航空航天DC/DC轉換器中的VDMOS器件和電離輻照前後低頻1/f譟聲的變化.研究瞭電離輻照情況下VDMOS器件的閾值電壓漂移、跨導的退化對1/f譟聲幅值、γ值的影響.結閤實驗,比較器件1/f譟聲幅值和γ值在輻照前後的變化,對其抗輻照性能做錶徵研究.對VDMOS器件在輻照前後的變化做瞭分析,從γ值分形的角度簡要說明輻照對器件產生的影響.
개소료용우항공항천DC/DC전환기중적VDMOS기건화전리복조전후저빈1/f조성적변화.연구료전리복조정황하VDMOS기건적역치전압표이、과도적퇴화대1/f조성폭치、γ치적영향.결합실험,비교기건1/f조성폭치화γ치재복조전후적변화,대기항복조성능주표정연구.대VDMOS기건재복조전후적변화주료분석,종γ치분형적각도간요설명복조대기건산생적영향.
