人工晶体学报
人工晶體學報
인공정체학보
2012年
1期
106-109,114
,共5页
刘忠良%康朝阳%唐军%徐彭寿
劉忠良%康朝暘%唐軍%徐彭壽
류충량%강조양%당군%서팽수
碳化硅薄膜%同源分子束外延%碳化硅衬底
碳化硅薄膜%同源分子束外延%碳化硅襯底
탄화규박막%동원분자속외연%탄화규츤저
以4H-SiC为衬底,在不同衬底温度下进行SiC薄膜的同质外延生长.利用反射式高能电子衍射(RHEED)、扫描电子显微镜( SEM)、拉曼(Raman)等测试手段,对生长样品的结构和结晶质量进行了表征.根据测试结果发现,在衬底温度为1200℃时能够得到质量较高的薄膜,在另外两个温度(1100℃和1300℃)条件下得到的薄膜质量是较差的.
以4H-SiC為襯底,在不同襯底溫度下進行SiC薄膜的同質外延生長.利用反射式高能電子衍射(RHEED)、掃描電子顯微鏡( SEM)、拉曼(Raman)等測試手段,對生長樣品的結構和結晶質量進行瞭錶徵.根據測試結果髮現,在襯底溫度為1200℃時能夠得到質量較高的薄膜,在另外兩箇溫度(1100℃和1300℃)條件下得到的薄膜質量是較差的.
이4H-SiC위츤저,재불동츤저온도하진행SiC박막적동질외연생장.이용반사식고능전자연사(RHEED)、소묘전자현미경( SEM)、랍만(Raman)등측시수단,대생장양품적결구화결정질량진행료표정.근거측시결과발현,재츤저온도위1200℃시능구득도질량교고적박막,재령외량개온도(1100℃화1300℃)조건하득도적박막질량시교차적.
