西南师范大学学报(自然科学版)
西南師範大學學報(自然科學版)
서남사범대학학보(자연과학판)
JOURNAL OF SOUTHWEST CHINA NORMAL UNIVERSITY
2003年
2期
227-229
,共3页
金刚石膜%X-射线衍射%正电子湮没谱
金剛石膜%X-射線衍射%正電子湮沒譜
금강석막%X-사선연사%정전자인몰보
对在Si(100)基底上利用化学汽相沉积(CVD)法制备的金刚石膜, 采用X-射线衍射(XRD)技术和正电子湮没谱学(PAS)原理进行了有关物相成分和微结构的测量分析. 研究发现, 在金刚石膜中微观缺陷的产生取决于薄膜生长过程的控制和基底表面局域生长环境的条件差异. 结果表明, 金刚石膜体和表面的结晶、微晶和非晶结构与正电子谱分析的3种正电子态相符合.
對在Si(100)基底上利用化學汽相沉積(CVD)法製備的金剛石膜, 採用X-射線衍射(XRD)技術和正電子湮沒譜學(PAS)原理進行瞭有關物相成分和微結構的測量分析. 研究髮現, 在金剛石膜中微觀缺陷的產生取決于薄膜生長過程的控製和基底錶麵跼域生長環境的條件差異. 結果錶明, 金剛石膜體和錶麵的結晶、微晶和非晶結構與正電子譜分析的3種正電子態相符閤.
대재Si(100)기저상이용화학기상침적(CVD)법제비적금강석막, 채용X-사선연사(XRD)기술화정전자인몰보학(PAS)원리진행료유관물상성분화미결구적측량분석. 연구발현, 재금강석막중미관결함적산생취결우박막생장과정적공제화기저표면국역생장배경적조건차이. 결과표명, 금강석막체화표면적결정、미정화비정결구여정전자보분석적3충정전자태상부합.
