硅酸盐通报
硅痠鹽通報
규산염통보
BULLETIN OF THE CHINESE CERAMIC SOCIETY
2005年
1期
17-19,24
,共4页
吴淼%胡明%张之圣%刘志刚%温宇峰
吳淼%鬍明%張之聖%劉誌剛%溫宇峰
오묘%호명%장지골%류지강%온우봉
V2O5%真空蒸发%VOx薄膜%电阻温度系数
V2O5%真空蒸髮%VOx薄膜%電阻溫度繫數
V2O5%진공증발%VOx박막%전조온도계수
以V2O5粉末为原料,采用真空蒸发结合真空热处理方法制备VOx薄膜,运用XRD(X射线衍射)和SEM(扫描电子显微镜)技术分析了基片材料、基片温度、真空热处理工艺对氧化钒薄膜结晶状态、物相组成和表面形貌的影响,在基片温度为200℃和400℃时所沉积的氧化钒薄膜在室温附近的电阻温度系数(TCR)分别达到-3%,并发现随着基片温度的升高,薄膜在室温附近的电阻率降低,TCR绝对值减小.
以V2O5粉末為原料,採用真空蒸髮結閤真空熱處理方法製備VOx薄膜,運用XRD(X射線衍射)和SEM(掃描電子顯微鏡)技術分析瞭基片材料、基片溫度、真空熱處理工藝對氧化釩薄膜結晶狀態、物相組成和錶麵形貌的影響,在基片溫度為200℃和400℃時所沉積的氧化釩薄膜在室溫附近的電阻溫度繫數(TCR)分彆達到-3%,併髮現隨著基片溫度的升高,薄膜在室溫附近的電阻率降低,TCR絕對值減小.
이V2O5분말위원료,채용진공증발결합진공열처리방법제비VOx박막,운용XRD(X사선연사)화SEM(소묘전자현미경)기술분석료기편재료、기편온도、진공열처리공예대양화범박막결정상태、물상조성화표면형모적영향,재기편온도위200℃화400℃시소침적적양화범박막재실온부근적전조온도계수(TCR)분별체도-3%,병발현수착기편온도적승고,박막재실온부근적전조솔강저,TCR절대치감소.
