功能材料
功能材料
공능재료
JOURNAL OF FUNCTIONAL MATERIALS
2006年
10期
1593-1595,1602
,共4页
杨文茂%张琦%陶涛%冷永祥%黄楠
楊文茂%張琦%陶濤%冷永祥%黃楠
양문무%장기%도도%랭영상%황남
Ta-N%薄膜%非平衡磁控溅射%反应溅射%XRD%电阻率
Ta-N%薄膜%非平衡磁控濺射%反應濺射%XRD%電阻率
Ta-N%박막%비평형자공천사%반응천사%XRD%전조솔
采用直流反应非平衡磁控溅射技术在单晶Si(100)和玻璃表面沉积氮化钽(Ta-N)薄膜,分别测试了薄膜的结构、成分、电阻率和吸收光谱,研究了氮氩流量比(N2∶Ar)变化对Ta-N薄膜的结构和电学性能的影响.研究结果表明随N2∶Ar增加,依次生成六方结构的γ-Ta2N、面心立方结构(fcc)的δ-TaNx、体心四方结构(bct)的TaNx;N2∶Ar在0.2～0.8的范围内,Ta-N薄膜中只存在着fcc δ-TaNx;当N2∶Ar＞1之后,Ta-N薄膜中fcc δ-TaNx和bct TaNx共存.Ta-N薄膜电阻率随N2∶Ar流量比增加持续增加,当N2∶Ar为1.2时,薄膜变为绝缘体,光学禁带宽度为1.51eV.
採用直流反應非平衡磁控濺射技術在單晶Si(100)和玻璃錶麵沉積氮化鐽(Ta-N)薄膜,分彆測試瞭薄膜的結構、成分、電阻率和吸收光譜,研究瞭氮氬流量比(N2∶Ar)變化對Ta-N薄膜的結構和電學性能的影響.研究結果錶明隨N2∶Ar增加,依次生成六方結構的γ-Ta2N、麵心立方結構(fcc)的δ-TaNx、體心四方結構(bct)的TaNx;N2∶Ar在0.2～0.8的範圍內,Ta-N薄膜中隻存在著fcc δ-TaNx;噹N2∶Ar＞1之後,Ta-N薄膜中fcc δ-TaNx和bct TaNx共存.Ta-N薄膜電阻率隨N2∶Ar流量比增加持續增加,噹N2∶Ar為1.2時,薄膜變為絕緣體,光學禁帶寬度為1.51eV.
채용직류반응비평형자공천사기술재단정Si(100)화파리표면침적담화단(Ta-N)박막,분별측시료박막적결구、성분、전조솔화흡수광보,연구료담아류량비(N2∶Ar)변화대Ta-N박막적결구화전학성능적영향.연구결과표명수N2∶Ar증가,의차생성륙방결구적γ-Ta2N、면심립방결구(fcc)적δ-TaNx、체심사방결구(bct)적TaNx;N2∶Ar재0.2～0.8적범위내,Ta-N박막중지존재착fcc δ-TaNx;당N2∶Ar＞1지후,Ta-N박막중fcc δ-TaNx화bct TaNx공존.Ta-N박막전조솔수N2∶Ar류량비증가지속증가,당N2∶Ar위1.2시,박막변위절연체,광학금대관도위1.51eV.
