CAJ | 학술논문

利用双光束分光光度计对高温退火前后的掺氮和未掺杂6H-SiC晶体的透射及反射谱进行了分析,发现无论退火前后,两种SiC晶体在紫外区均存在强烈的吸收.在可见和近红外区,尤其是未掺杂SiC样品具有很高的透射率,退火后,两种样品的透射率均明显提高.利用荧光分光光度计研究了退火前后样品的光致发光特性,结果表明:在390 nm Xe灯激发下.两种样品在417 nm和436 nm处均可观察到蓝光发射,417 nm处的发光归结于C簇的发光,436 nm处的发光机理为从晶粒的核心激发载流子转移到晶粒表面,并与其上的发光中心辐射复合;同时,掺氮SiC在575 nm处还存在发光峰,为氮掺入后引起的非晶SiC的发光,在325 nm Xe灯激发下,525 nm处存在发光峰,其详细发光机制有待进一步研究.
이용쌍광속분광광도계대고온퇴화전후적참담화미참잡6H-SiC정체적투사급반사보진행료분석,발현무론퇴화전후,량충SiC정체재자외구균존재강렬적흡수.재가견화근홍외구,우기시미참잡SiC양품구유흔고적투사솔,퇴화후,량충양품적투사솔균명현제고.이용형광분광광도계연구료퇴화전후양품적광치발광특성,결과표명:재390 nm Xe등격발하.량충양품재417 nm화436 nm처균가관찰도람광발사,417 nm처적발광귀결우C족적발광,436 nm처적발광궤리위종정립적핵심격발재류자전이도정립표면,병여기상적발광중심복사복합;동시,참담SiC재575 nm처환존재발광봉,위담참입후인기적비정SiC적발광,재325 nm Xe등격발하,525 nm처존재발광봉,기상세발광궤제유대진일보연구.