汕头大学学报(自然科学版)
汕頭大學學報(自然科學版)
산두대학학보(자연과학판)
JOURNAL OF SHANTOU UNIVERSITY (NATURAL SCIENCE EDITION)
2004年
2期
13-17,22
,共6页
余云鹏%林璇英%林舜辉%黄锐
餘雲鵬%林璇英%林舜輝%黃銳
여운붕%림선영%림순휘%황예
薄膜%晶化硅%PECVD%低温生长
薄膜%晶化硅%PECVD%低溫生長
박막%정화규%PECVD%저온생장
采用SiCl4/H2混合气源的等离子体化学气相沉积技术,在300℃的玻璃衬底上低温制备出多晶硅薄膜,沉积速率大于3A/s,晶化率达到60%.实验中发现氢稀释对膜的生长及晶化起重要的促进作用,薄膜晶化率随射频功率增大呈不断下降的趋势.通过与SiH4/H2沉积结果的对比,从基团成份、基团尺寸以及表面反应过程几个方面,对晶化硅薄膜低温生长的机制进行初步的探讨.
採用SiCl4/H2混閤氣源的等離子體化學氣相沉積技術,在300℃的玻璃襯底上低溫製備齣多晶硅薄膜,沉積速率大于3A/s,晶化率達到60%.實驗中髮現氫稀釋對膜的生長及晶化起重要的促進作用,薄膜晶化率隨射頻功率增大呈不斷下降的趨勢.通過與SiH4/H2沉積結果的對比,從基糰成份、基糰呎吋以及錶麵反應過程幾箇方麵,對晶化硅薄膜低溫生長的機製進行初步的探討.
채용SiCl4/H2혼합기원적등리자체화학기상침적기술,재300℃적파리츤저상저온제비출다정규박막,침적속솔대우3A/s,정화솔체도60%.실험중발현경희석대막적생장급정화기중요적촉진작용,박막정화솔수사빈공솔증대정불단하강적추세.통과여SiH4/H2침적결과적대비,종기단성빈、기단척촌이급표면반응과정궤개방면,대정화규박막저온생장적궤제진행초보적탐토.
