真空科学与技术学报
真空科學與技術學報
진공과학여기술학보
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE AND TECHNOLOGY
2004年
6期
465-468
,共4页
王晓强%陈强%栗军帅%杨定宇%贺德衍
王曉彊%陳彊%慄軍帥%楊定宇%賀德衍
왕효강%진강%률군수%양정우%하덕연
ICP-CVD Si薄膜 低温生长 微结构
ICP-CVD Si薄膜 低溫生長 微結構
ICP-CVD Si박막 저온생장 미결구
用内置式单圈电感耦合等离子体化学气相沉积(ICP-CVD)方法在室温下制备Si薄膜.用傅里叶红外吸收光谱、喇曼光谱、原子力显微镜和分光椭圆偏振谱等测量分析表明,即使在室温下用ICP-CVD也获得了有纳米结晶相的Si薄膜,样品结构与源气体SiH4浓度密切相关.实验结果预示着在高电子密度的ICP-CVD过程中,活性原子集团的形成以及薄膜的生长机理与传统的等离子体CVD过程不同.
用內置式單圈電感耦閤等離子體化學氣相沉積(ICP-CVD)方法在室溫下製備Si薄膜.用傅裏葉紅外吸收光譜、喇曼光譜、原子力顯微鏡和分光橢圓偏振譜等測量分析錶明,即使在室溫下用ICP-CVD也穫得瞭有納米結晶相的Si薄膜,樣品結構與源氣體SiH4濃度密切相關.實驗結果預示著在高電子密度的ICP-CVD過程中,活性原子集糰的形成以及薄膜的生長機理與傳統的等離子體CVD過程不同.
용내치식단권전감우합등리자체화학기상침적(ICP-CVD)방법재실온하제비Si박막.용부리협홍외흡수광보、나만광보、원자력현미경화분광타원편진보등측량분석표명,즉사재실온하용ICP-CVD야획득료유납미결정상적Si박막,양품결구여원기체SiH4농도밀절상관.실험결과예시착재고전자밀도적ICP-CVD과정중,활성원자집단적형성이급박막적생장궤리여전통적등리자체CVD과정불동.
