Cu(In,Ga)3Se5薄膜结构的Raman研究
Cu(In,Ga)3Se5박막결구적Raman연구
Effect of Structure on Raman Spectra in Cu(In,Ga)3Se5 Thin Films
  • 万方数据
    半导体学报 반도체학보
    CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
    2004年 11期 1423-1427 ,共5页

    徐传明%许小亮%徐军%杨晓杰%左健%党学明%冯叶%黄文浩%刘洪图

    서전명%허소량%서군%양효걸%좌건%당학명%풍협%황문호%류홍도

    Cu(In,Ga)3Se5%有序缺陷化合物%晶格振动%Raman散射 Cu(In,Ga)3Se5%有序缺陷化閤物%晶格振動%Raman散射
    Cu(In,Ga)3Se5%유서결함화합물%정격진동%Raman산사
    讨论了Ga含量对四元有序缺陷化合物Cu(In,Ga)3Se5薄膜的晶格振动模式的影响,室温下CuIn3Se5与CuGa3Se5 A1模式峰位分别位于153cm-1和164cm-1,Ga含量的增加引起晶格扭曲系数以及阴离子Se位移参数的增加,相应改变了Cu-Se以及In/Ga-Se的键长及其键拉伸力学常数,从而影响了A1模式峰位的移动.
    토론료Ga함량대사원유서결함화합물Cu(In,Ga)3Se5박막적정격진동모식적영향,실온하CuIn3Se5여CuGa3Se5 A1모식봉위분별위우153cm-1화164cm-1,Ga함량적증가인기정격뉴곡계수이급음리자Se위이삼수적증가,상응개변료Cu-Se이급In/Ga-Se적건장급기건랍신역학상수,종이영향료A1모식봉위적이동.
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