Mg掺杂AlInP 650 nm LD外延片的Zn扩散研究
Mg참잡AlInP 650 nm LD외연편적Zn확산연구
Zinc Diffusion in 650 nm Laser Diode Epitaxy Wafer with Mg Doped AlInP Layer
  • 万方数据
    光电子·激光 광전자·격광
    JOURNAL OF OPTOECTRONICS·LASER
    2006年 7期 854-856 ,共3页

    李树强%马德营%夏伟%陈秀芳%张新%任忠祥%徐现刚%蒋民华

    리수강%마덕영%하위%진수방%장신%임충상%서현강%장민화

    AlGaInP/GaInP量子阱%Zn扩散%组分无序 AlGaInP/GaInP量子阱%Zn擴散%組分無序
    AlGaInP/GaInP양자정%Zn확산%조분무서
    利用石英闭管法,对Mg掺杂AlInP 650 nm LD外延片进行Zn扩散,分析了扩散温度和时间2个参数对Zn扩散的影响.采用光致发光(PL)谱和电化学蒸涂(ECV)方法研究了Zn扩散产生的影响.PL谱结果表明,Zn扩散引起了AlGaInP/GaInP多量子阱(MQW)有源层的组分无序,使PL谱的峰值蓝移,最大蓝移为54 nm,约175 meV.ECV测量结果显示,Zn已经扩散到MQW有源区,MQW区域的p型载流子浓度为4.4×1017 cm-3.
    이용석영폐관법,대Mg참잡AlInP 650 nm LD외연편진행Zn확산,분석료확산온도화시간2개삼수대Zn확산적영향.채용광치발광(PL)보화전화학증도(ECV)방법연구료Zn확산산생적영향.PL보결과표명,Zn확산인기료AlGaInP/GaInP다양자정(MQW)유원층적조분무서,사PL보적봉치람이,최대람이위54 nm,약175 meV.ECV측량결과현시,Zn이경확산도MQW유원구,MQW구역적p형재류자농도위4.4×1017 cm-3.
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