硅酸盐学报
硅痠鹽學報
규산염학보
JOURNAL OF THE CHINESE CERAMIC SOCIETY
2007年
10期
1298-1301
,共4页
崔春伟%黄金亮%殷镖%杨兴化%汪潇
崔春偉%黃金亮%慇鏢%楊興化%汪瀟
최춘위%황금량%은표%양흥화%왕소
模板晶粒生长%流延法%铌酸锶铋陶瓷%织构化陶瓷
模闆晶粒生長%流延法%鈮痠鍶鉍陶瓷%織構化陶瓷
모판정립생장%류연법%니산송필도자%직구화도자
以熔盐法合成各向异性的片状单相SrBi2Nb2O9(SBN)陶瓷粉体作为模板,采用模板晶粒生长(templated grain growth,TGG)技术制得织构化SBN陶瓷.研究结果表明:随着烧结温度的升高和模板数量的增加,其晶粒取向率升高.当模板数量(质量分数)为20%时,在1 300 ℃烧结3 h可获得晶粒取向率为0.86的织构化SBN陶瓷.同时,TGG技术制得的织构化SBN陶瓷的相对体积密度在烧结温度低于1 300 ℃时,随烧结温度的升高而升高;在1 300 ℃时为91.22%;在高于1 300 ℃时开始下降.
以鎔鹽法閤成各嚮異性的片狀單相SrBi2Nb2O9(SBN)陶瓷粉體作為模闆,採用模闆晶粒生長(templated grain growth,TGG)技術製得織構化SBN陶瓷.研究結果錶明:隨著燒結溫度的升高和模闆數量的增加,其晶粒取嚮率升高.噹模闆數量(質量分數)為20%時,在1 300 ℃燒結3 h可穫得晶粒取嚮率為0.86的織構化SBN陶瓷.同時,TGG技術製得的織構化SBN陶瓷的相對體積密度在燒結溫度低于1 300 ℃時,隨燒結溫度的升高而升高;在1 300 ℃時為91.22%;在高于1 300 ℃時開始下降.
이용염법합성각향이성적편상단상SrBi2Nb2O9(SBN)도자분체작위모판,채용모판정립생장(templated grain growth,TGG)기술제득직구화SBN도자.연구결과표명:수착소결온도적승고화모판수량적증가,기정립취향솔승고.당모판수량(질량분수)위20%시,재1 300 ℃소결3 h가획득정립취향솔위0.86적직구화SBN도자.동시,TGG기술제득적직구화SBN도자적상대체적밀도재소결온도저우1 300 ℃시,수소결온도적승고이승고;재1 300 ℃시위91.22%;재고우1 300 ℃시개시하강.