核聚变与等离子体物理
覈聚變與等離子體物理
핵취변여등리자체물리
NUCLEAR FUSION AND PLASMA PHYSICS
2010年
4期
370-373
,共4页
汪明刚%刘杰%杨威风%李超波%夏洋
汪明剛%劉傑%楊威風%李超波%夏洋
왕명강%류걸%양위풍%리초파%하양
等离子体浸没注入%超浅结%感性耦合等离子体
等離子體浸沒註入%超淺結%感性耦閤等離子體
등리자체침몰주입%초천결%감성우합등리자체
基于感应耦合等离子体(ICP)技术设计了一套用于在硅基片上制作形成超浅结的等离子体浸没注入(PIII)系统.该ICP PIII系统工作腔室为圆柱形,采用射频功率源,注入偏压源为一脉冲直流电压源,系统与Langmiur探针相连.探针诊断结果表明,该系统的等离子体离子密度达到1017m-3,离子密度径向均匀性达到3.53%.硼和磷的超低能注入试验的二次离子质谱测试结果表明:掺杂离子注入深度在10nm左右,最浅的注入深度为8.6nm(在注入离子密度为1018cm-3时);注入离子剂量达到了1015cm-2以上;掺杂离子浓度峰值在表面以下;注入陡峭度达到了2.5nm/decade.
基于感應耦閤等離子體(ICP)技術設計瞭一套用于在硅基片上製作形成超淺結的等離子體浸沒註入(PIII)繫統.該ICP PIII繫統工作腔室為圓柱形,採用射頻功率源,註入偏壓源為一脈遲直流電壓源,繫統與Langmiur探針相連.探針診斷結果錶明,該繫統的等離子體離子密度達到1017m-3,離子密度徑嚮均勻性達到3.53%.硼和燐的超低能註入試驗的二次離子質譜測試結果錶明:摻雜離子註入深度在10nm左右,最淺的註入深度為8.6nm(在註入離子密度為1018cm-3時);註入離子劑量達到瞭1015cm-2以上;摻雜離子濃度峰值在錶麵以下;註入陡峭度達到瞭2.5nm/decade.
기우감응우합등리자체(ICP)기술설계료일투용우재규기편상제작형성초천결적등리자체침몰주입(PIII)계통.해ICP PIII계통공작강실위원주형,채용사빈공솔원,주입편압원위일맥충직류전압원,계통여Langmiur탐침상련.탐침진단결과표명,해계통적등리자체리자밀도체도1017m-3,리자밀도경향균균성체도3.53%.붕화린적초저능주입시험적이차리자질보측시결과표명:참잡리자주입심도재10nm좌우,최천적주입심도위8.6nm(재주입리자밀도위1018cm-3시);주입리자제량체도료1015cm-2이상;참잡리자농도봉치재표면이하;주입두초도체도료2.5nm/decade.
