稀氮Ⅲ-Ⅴ族InAsN和InSbN中长波红外光电材料与器件
희담Ⅲ-Ⅴ족InAsN화InSbN중장파홍외광전재료여기건
Novel Dilute Ⅲ-Ⅴ InAsN and InSbN Medium-long Wave Infrared Photoelectric Materials and Devices
  • 万方数据
    红外 홍외
    INFRARED
    2012年 2期 1-7 ,共7页

    邱锋%胡淑红%孙常鸿%吕英飞%王奇伟%孙艳%邓惠勇%戴宁

    구봉%호숙홍%손상홍%려영비%왕기위%손염%산혜용%대저

    稀氮Ⅲ-Ⅴ族半导体%InAsN%InSbN%中长波红外器件 稀氮Ⅲ-Ⅴ族半導體%InAsN%InSbN%中長波紅外器件
    희담Ⅲ-Ⅴ족반도체%InAsN%InSbN%중장파홍외기건
    将少量氮原子加入Ⅲ-Ⅴ族半导体后可引起能带减小,因此这种方法可以用来实现能带结构裁剪.这种新型稀氮化物显示出了奇特的物理性质,并且具有应用于新型光电器件的潜力.特别是,备受关注的稀氮InAsN和InSbN在中长波红外光电材料上具有巨大的应用价值,并将在中长波红外器件应用领域发挥重要的作用.
    장소량담원자가입Ⅲ-Ⅴ족반도체후가인기능대감소,인차저충방법가이용래실현능대결구재전.저충신형희담화물현시출료기특적물이성질,병차구유응용우신형광전기건적잠력.특별시,비수관주적희담InAsN화InSbN재중장파홍외광전재료상구유거대적응용개치,병장재중장파홍외기건응용영역발휘중요적작용.
    원문보기 원문다운로드 사이트로이동
저자의 최근 논문