半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2005年
3期
627-629
,共3页
郭瑜%刘峰奇%刘俊岐%路秀真%王占国
郭瑜%劉峰奇%劉俊岐%路秀真%王佔國
곽유%류봉기%류준기%로수진%왕점국
量子级联激光器%分布反馈%分子束外延%应变补偿
量子級聯激光器%分佈反饋%分子束外延%應變補償
양자급련격광기%분포반궤%분자속외연%응변보상
报道了基于应变补偿的InP基In0.53+xGa0.47-xAs/In0.52-yAl0.48+yAs分布反馈量子级联激光器.采用二级光栅作为反馈,激射工作波长为7.8μm,在1%占空比,5kHz频率的工作条件下,在93～173K的温度范围内,单模发射光谱边模抑制比均超过20dB,调谐系数dλ/dT=0.5125nm/K.在93K时,峰值功率为30mW,直到153K时,峰值光功率仍达到12mW.
報道瞭基于應變補償的InP基In0.53+xGa0.47-xAs/In0.52-yAl0.48+yAs分佈反饋量子級聯激光器.採用二級光柵作為反饋,激射工作波長為7.8μm,在1%佔空比,5kHz頻率的工作條件下,在93～173K的溫度範圍內,單模髮射光譜邊模抑製比均超過20dB,調諧繫數dλ/dT=0.5125nm/K.在93K時,峰值功率為30mW,直到153K時,峰值光功率仍達到12mW.
보도료기우응변보상적InP기In0.53+xGa0.47-xAs/In0.52-yAl0.48+yAs분포반궤양자급련격광기.채용이급광책작위반궤,격사공작파장위7.8μm,재1%점공비,5kHz빈솔적공작조건하,재93～173K적온도범위내,단모발사광보변모억제비균초과20dB,조해계수dλ/dT=0.5125nm/K.재93K시,봉치공솔위30mW,직도153K시,봉치광공솔잉체도12mW.
