半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2007年
1期
62-64,81
,共4页
互补金属氧化物半导体%功率放大器%射频%集成电路
互補金屬氧化物半導體%功率放大器%射頻%集成電路
호보금속양화물반도체%공솔방대기%사빈%집성전로
在一个RF收发机系统中,功率放大器的集成问题一直是难点之一.首先简要介绍开关模式功率放大器及其提高效率的理论基础,然后采用0.18 μm CMOS工艺给出了工作在2.45 GHz的全集成单片功率放大器的设计,并采用ADS仿真软件验证了设计的正确性.
在一箇RF收髮機繫統中,功率放大器的集成問題一直是難點之一.首先簡要介紹開關模式功率放大器及其提高效率的理論基礎,然後採用0.18 μm CMOS工藝給齣瞭工作在2.45 GHz的全集成單片功率放大器的設計,併採用ADS倣真軟件驗證瞭設計的正確性.
재일개RF수발궤계통중,공솔방대기적집성문제일직시난점지일.수선간요개소개관모식공솔방대기급기제고효솔적이론기출,연후채용0.18 μm CMOS공예급출료공작재2.45 GHz적전집성단편공솔방대기적설계,병채용ADS방진연건험증료설계적정학성.
