固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2008年
2期
190-192
,共3页
孙莉莉%薛成山%艾玉杰%庄惠照%王福学
孫莉莉%薛成山%艾玉傑%莊惠照%王福學
손리리%설성산%애옥걸%장혜조%왕복학
氮化镓%磁控溅射%纳米线
氮化鎵%磁控濺射%納米線
담화가%자공천사%납미선
通过在1050℃时氨化Ga2O3/Mg薄膜制备出簇状GaN纳米线.用X射线衍射(XRD),傅里叶红外吸收光谱(FTIR)扫描电子显微镜(SEM)和高分辨电子显微镜(HRTEM)对样品进行测试分析.结果表明,GaN纳米线为六万纤锌矿结构单晶相并且成族生长,直径在200～500 nm米左右,其长度可达5～10μm.几乎所有纳米线的直径均有逐渐缩小的趋势.对Mg膜的作用进行了初步的分析.
通過在1050℃時氨化Ga2O3/Mg薄膜製備齣簇狀GaN納米線.用X射線衍射(XRD),傅裏葉紅外吸收光譜(FTIR)掃描電子顯微鏡(SEM)和高分辨電子顯微鏡(HRTEM)對樣品進行測試分析.結果錶明,GaN納米線為六萬纖鋅礦結構單晶相併且成族生長,直徑在200～500 nm米左右,其長度可達5～10μm.幾乎所有納米線的直徑均有逐漸縮小的趨勢.對Mg膜的作用進行瞭初步的分析.
통과재1050℃시안화Ga2O3/Mg박막제비출족상GaN납미선.용X사선연사(XRD),부리협홍외흡수광보(FTIR)소묘전자현미경(SEM)화고분변전자현미경(HRTEM)대양품진행측시분석.결과표명,GaN납미선위륙만섬자광결구단정상병차성족생장,직경재200～500 nm미좌우,기장도가체5～10μm.궤호소유납미선적직경균유축점축소적추세.대Mg막적작용진행료초보적분석.
