电子器件
電子器件
전자기건
JOURNAL OF ELECTRON DEVICES
2009年
6期
1031-1034
,共4页
罗世钦%孙玲玲%洪慧%章少杰
囉世欽%孫玲玲%洪慧%章少傑
라세흠%손령령%홍혜%장소걸
超高频%有源射频识别%低噪声放大器%混频器%接收前端
超高頻%有源射頻識彆%低譟聲放大器%混頻器%接收前耑
초고빈%유원사빈식별%저조성방대기%혼빈기%접수전단
采用SMIC 0.18 μm CMOS工艺,设计了一种低功耗的超高频有源RFID标签芯片射频接收前端电路.其中,低噪声放大器(LNA)采用共源共栅源极电感负反馈差分结构,下变频混频器(Mixer)采用吉尔伯特(Gilbert)有源双平衡结构.通过整体及模块电路优化,该电路在较低功耗下仍然具有较好性能.仿真结果表明,整个接收端功耗仅为14 mW,与传统射频前端芯片相比,功耗降低53%;整体增益为21.6 dB,噪声系数7.1 dB,三阶输入截止点-18.9 dBm,满足有源UHF-RFID标签芯片低功耗高性能的应用需求.
採用SMIC 0.18 μm CMOS工藝,設計瞭一種低功耗的超高頻有源RFID標籤芯片射頻接收前耑電路.其中,低譟聲放大器(LNA)採用共源共柵源極電感負反饋差分結構,下變頻混頻器(Mixer)採用吉爾伯特(Gilbert)有源雙平衡結構.通過整體及模塊電路優化,該電路在較低功耗下仍然具有較好性能.倣真結果錶明,整箇接收耑功耗僅為14 mW,與傳統射頻前耑芯片相比,功耗降低53%;整體增益為21.6 dB,譟聲繫數7.1 dB,三階輸入截止點-18.9 dBm,滿足有源UHF-RFID標籤芯片低功耗高性能的應用需求.
채용SMIC 0.18 μm CMOS공예,설계료일충저공모적초고빈유원RFID표첨심편사빈접수전단전로.기중,저조성방대기(LNA)채용공원공책원겁전감부반궤차분결구,하변빈혼빈기(Mixer)채용길이백특(Gilbert)유원쌍평형결구.통과정체급모괴전로우화,해전로재교저공모하잉연구유교호성능.방진결과표명,정개접수단공모부위14 mW,여전통사빈전단심편상비,공모강저53%;정체증익위21.6 dB,조성계수7.1 dB,삼계수입절지점-18.9 dBm,만족유원UHF-RFID표첨심편저공모고성능적응용수구.
