原子与分子物理学报
原子與分子物理學報
원자여분자물이학보
CHINESE JOURNAL OF ATOMIC AND MOLECULAR PHYSICS
2011年
4期
683-691
,共9页
全相对论扭曲波方法%电子碰撞激发截面%类铜Au50+离子
全相對論扭麯波方法%電子踫撞激髮截麵%類銅Au50+離子
전상대론뉴곡파방법%전자팽당격발절면%류동Au50+리자
利用全相对论扭曲波(RDW)方法,系统计算了类铜Au50+离子的外壳层电子4s激发到4l、5l(l=s、p、d、f,除去4s→ 4s)和内壳层电子3 l(l=s、p、d)激发到4l、5l(l=s、p、d、f)的碰撞激发截面,研究了在不同入射电子能量下截面的变化规律,给出了3d→4f和3d→5f精细结构能级的碰撞激发截面.部分计算结果与其它理论及最新实验结果进行了比较,取得了很好的一致性.
利用全相對論扭麯波(RDW)方法,繫統計算瞭類銅Au50+離子的外殼層電子4s激髮到4l、5l(l=s、p、d、f,除去4s→ 4s)和內殼層電子3 l(l=s、p、d)激髮到4l、5l(l=s、p、d、f)的踫撞激髮截麵,研究瞭在不同入射電子能量下截麵的變化規律,給齣瞭3d→4f和3d→5f精細結構能級的踫撞激髮截麵.部分計算結果與其它理論及最新實驗結果進行瞭比較,取得瞭很好的一緻性.
이용전상대론뉴곡파(RDW)방법,계통계산료류동Au50+리자적외각층전자4s격발도4l、5l(l=s、p、d、f,제거4s→ 4s)화내각층전자3 l(l=s、p、d)격발도4l、5l(l=s、p、d、f)적팽당격발절면,연구료재불동입사전자능량하절면적변화규률,급출료3d→4f화3d→5f정세결구능급적팽당격발절면.부분계산결과여기타이론급최신실험결과진행료비교,취득료흔호적일치성.
