厦门大学学报（自然科学版）
廈門大學學報（自然科學版）
하문대학학보（자연과학판）
JOURNAL OF XIAMEN UNIVERSITY (NATURAL SCIENCE)
2004年
z1期
362-364
,共3页
氮化硅薄膜%低压化学气相淀积%温度
氮化硅薄膜%低壓化學氣相澱積%溫度
담화규박막%저압화학기상정적%온도
氮化硅(Si3N4)薄膜具有许多优良特性,在半导体、微电子和MEMS领域应用广泛.简要介绍了Si3N4膜的制备方法及CVD法制备的Si3N4薄膜的特性,详细介绍了低压化学气相淀积(LPCVD)氮化硅的工艺.通过调整炉温使批量生产的淀积膜的均匀性达到技术要求.
氮化硅(Si3N4)薄膜具有許多優良特性,在半導體、微電子和MEMS領域應用廣汎.簡要介紹瞭Si3N4膜的製備方法及CVD法製備的Si3N4薄膜的特性,詳細介紹瞭低壓化學氣相澱積(LPCVD)氮化硅的工藝.通過調整爐溫使批量生產的澱積膜的均勻性達到技術要求.
담화규(Si3N4)박막구유허다우량특성,재반도체、미전자화MEMS영역응용엄범.간요개소료Si3N4막적제비방법급CVD법제비적Si3N4박막적특성,상세개소료저압화학기상정적(LPCVD)담화규적공예.통과조정로온사비량생산적정적막적균균성체도기술요구.
